海力士DRAM制程升级到30纳米级

海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季将先量产2Gb产品。

　　三星于2010年7月率先采用35纳米制程量产计算机用2GbDRAM产品，且近来已完成4Gb产品开发作业，并着手准备投入量产。30纳米级的半导体电路线幅约为人类头发粗细的4,000分之1，将电路线幅缩减至纳米大小，连带可缩减半导体产品体积，使用单一晶圆(wafer)能生产的半导体数量也较多。

　　相较于40纳米制程，30纳米制程使用单一晶圆可生产的半导体数量增加60~70%。不仅提升生产性，也有利于提升成本竞争力。海力士采用38纳米制程制造DRAM时，较目前采用的44纳米制程产量提升约70%。

　　海力士表示，采用38纳米制程生产的产品资料处理速度最高可提升至2,133Mbps，较44纳米制程产品资料传输速度提升约60%。此外更减少44纳米制程产品约50%的耗电量。

　　海力士副社长朴星昱表示，目前2Gb DRAM产品占整体货量50%，未来将扩大高容量、高性能、低耗电产品比重，期望能引领4Gb等高容量产品市场。