DRAM合约价酝酿反弹

DRAM合约价在2010年第4季跌幅高达50%，随著现货价在农历年前率先反弹，2011年2月DRAM合约价亦走向止跌，存储器模块厂表示，近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象，由于目前现货价比合约价至少高出20%，使得DRAM厂在合约价谈判上轻松许多;南亚科则预计，2月 DRAM合约价涨幅目标是至少5%。

　　存储器模块厂指出，这一波DRAM报价止跌系由现货价当领头羊，预期3月PC厂还会有一波备货潮，DRAM现货价至少还有10~20%上涨空间，2月合约价亦成功被现货价带动止跌。目前2GB DDR3模块合约价约16美元，未来有机会重返20美元大关，若PC厂将内建存储器容量从2GB提升至4GB，价格约40美元，不超过1台PC成本10% 上限，客户升级存储器意愿将大增。

　　存储器业者表示，这是继2010年第4季DRAM合约价大跌50%之后，合约市场首度飞来春燕，亦是DRAM产业落底讯号，以目前PC客户库存来看，虽称不上是偏低，但已趋于健康水位，预计再过1~2个月库存会逐渐偏低，加上每年3月都是PC厂开始备库存季节，以及英特尔(Intel)Sandy Bridge瑕疵芯片组在第1季末会全数更换重新出货，亦将刺激PC厂积极备货，3月底前补货潮可望延续这一波价格反弹走势。

　　存储器模块厂认为，DRAM价格3月底前还有10~20%反弹空间，但不希望一举涨太高，1Gb DDR3芯片将反弹至1.3~1.4美元，2Gb DDR3则反弹至2.5~2.6美元水平，都算是合理价位，在此价格区间，DRAM厂可以开始赚钱，模块厂拥有合理库存利益，下游客户亦不至于抗拒，避免重蹈2010年DDR3一下子涨过头，导致PC厂马上又开始大砍存储器容量覆辙。

　　在供给端方面，存储器业者表示，2011年最特殊现象就是各种存储器如Mobile RAM、NANDFlash、SDRAM互抢产能，间接排挤标准型DRAM供给。其中，智能型手机和平板计算机需求兴起，刺激Mobile RAM和NANDFlash需求，Google与Facebook等云端服务服务器对于存储器需求高达20~30GB，而3D TV亦带动SDRAM需求升温，游戏机热潮则带动绘图卡存储器(GDDR)需求增加。

　　由于全球存储器产能不会再明显往标准型DRAM靠拢，既有产能开始有很多产品选择，这是过去存储器产业相当少见情况，未来标准型DRAM是否能跳脱供过于求泥淖，仍要观察各家厂商40及30纳米制程产能放量之后的整体供需结构。