宏力半导体0.18微米低本高效OTP制程成功量产

　　上海宏力半导体2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP 制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点，在使用较少光罩层数的同时，创造了业内OTP最小单元尺寸(cell size)的记录。

宏力半导体继2009年与其战略合作伙伴力旺电子成功开发0.18微米低本高效的OTP技术平台后，已有20多件产品相继投入量产，每月投片量达数千片。该OTP单元尺寸仅0.8平方微米，比市场上现有传统的0.35微米OTP缩小达6倍，在创造行业记录的同时，其出色的数据存储性能也已在多颗MCU (微控制器)产品上得到了验证。与传统的0.35微米OTP制程相比，该0.18微米OTP制程采用了STI (浅槽隔离)代替LOCOS (局部场氧化)，并按照0.18微米后端制程的设计规则，使芯片的尺寸缩小30%以上。另一方面，该解决方案至少可以减少5层光罩层，使总光罩层数仅为14层。此外，宏力还提供整套硅验证(silicon proven) IP及单元库以帮助客户大幅缩短产品上市的时间。