台积电将加入国际半导体工艺研发联盟

　　《日本经济新闻》日前报导，日本 Renesas Electronics(瑞萨电子) 和台积电，将加入一个由日本主导、从事新世代芯片制程技术开发的国际联盟。该联盟预计这个月开始研发 EUV (超紫外光) 微影技术，目标在 2015 年底前结束。企业成员将运用这项技术增进自家产品的表现，如闪存和系统芯片等。

　　此外，全球市占具一定份量的日本半导体材料业者，包括 Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.、Hoya Corp.、Fujifilm Holdings Corp. 与 Nissan Chemical Industries Ltd. 等，也将加入该联盟。联盟成员将派遣约 40 名工程师，在日本茨城县的一座研发中心进行合作。

　　荷兰 ASML Holding NV 计划在 2012 年推出 EUV 微影设备，日本在设备和材料的开发上已居于落后。该联盟的目标，是发展出电路宽度 20 奈米以下的芯片制程技术。东芝 (6502-JP) 未来 3-5 年需以 EUV 微影技术来生产快闪记忆芯片，但顾虑自行研发成本太高，遂号召材料厂及外国芯片业者组成联盟，并找来日本经产省支持。

　　瑞萨为了降低成本，已打算将线宽28 奈米或以下的所有芯片生产外包，加入联盟的主因则是要了解技术。