应用材料发布Centura
应用材料(Applied Materials)在Semicon West发布了一套新系统,用以制备晶体管最关键的一层,这种晶体管见于逻辑电路。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/121569.htm应用材料的新工具Centura,用在晶体管上沉积关键的一层,一次只沉积一个原子,这就带来了前所未有的精度。
由于芯片制造商使管达到越来越小的尺度,带来了更快、更节能的电子产品,原子尺度的制造精度就日益受到关注。这第一款芯片的晶体管只有22纳米大小,将在今年投产,在这一尺度,即使是最微小的不协调,也意味着本来要高价出售的一个芯片,不得不用于低端电子装置。
晶体管是由多层构成:活跃的硅材料上面是一个接口层,随后的一层材料称为电介质(dielectric),这构成“开关门”,切换晶体管的开启和关闭。
应用材料公司销售的设备,用于沉积这些层,称为闸极堆叠(gate stack),就在硅片上。从今天的32纳米,转换到下一代的22纳米晶体管,更为棘手的是制造栅极。接口层和介电层都必须越来越薄,各层的性能都会受到微小缺陷的影响,这些缺陷在材料连接之处。因为各层变得越来越薄,微小的缺陷会被放大,甚至超过较大的晶体管,这种较大的晶体管由较厚的层制成。
制造精度会更重要,芯片制造商英特尔公司将开始生产下一代三维晶体管,就在今年晚些时候。在这些设备中,活跃区是一个凸起带,三面连接着接口和栅极层。这增加了接触面积,有助于这些设备发挥更好的性能,但同时也意味着更容易受缺陷影响。
Centura使用原子层沉积(ALD:atomic-layer deposition),或ALD,就是一次只沉积一个单层原子的介质。这种方法比较昂贵,但已经变得必不可少,应用材料ALD分部全球产品经理Atif Noori说,要让晶体管的心脏也就是栅极工作,“你就要确保把所有的原子放在你想要放的地方。”
微晶片不协调,原因之一是因为暴露在空气中。在应用材料公司的新工具中,沉积闸极堆叠的整个过程都是在真空中进行,一次一个晶圆。在完全真空状态制造闸极堆叠,可使电子通过晶体管的速度提高5%至10%,这可以转化为节能或更快的处理。通常情况下,开启芯片上给定晶体管所需的耗电量,会有显著变化;真空状态下制造,会限制配电20%至40%。
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