IMEC用EUV曝光装置成功曝光晶圆

　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光装置NXE:3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTREME technologies GmbH公司生产的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。

　　IMEC于2011年3月导入了曝光装置单机和EUV光源，设置于研究设施内并进行了调整和测试。现在已与东电电子(TEL)的涂布显影装置“Lithius Pro”(用于EUV工序)连接。IMEC表示，“吞吐量为ASML公司曝光工艺评测用(Alpha Demo Tool ：ADT)EUV曝光装置的20倍，计划在2012年初期实现100W的光源输出功率和60张/小时的吞吐量”。重叠精度方面，根据此次的成果确认了具有达到目标的4nm以下的潜在能力。分辨率在使用偶极照明时可达到20nm以下，对于IMEC的目标——2013年确立分辨率达到16nm的量产技术来说，此次成果具有里程碑的意义。