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Bridgelux募集6000万美元攻关封装技术

—— Si衬底上GaN外延技术研发
作者: 时间:2011-08-11 来源:阿拉丁照明网 收藏

新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如Si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。据估计,扩展市场后,明年销售额将3倍于今年,达到30亿美元。用于Si衬底上GaN外延技术研发。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/122395.htm

  从2002年至今,已经获得总数达到1.8亿美元的风险投资。

  最初,Bridgelux的主要研发精力集中在基于ITO/InGaN技术的功率型LED芯片设计和制造上。后来,公司研发策略发生了变化,2009年1月,Bridgelux推出了他们第一个LED阵列产品,随后在2009年5月开发了一系列固态照明设计和元器件支撑。2010年3月,联合Molex公司研发了即插即用的耐用照明模块,专门为工厂和商业大厦的业主使用。到了2011年5月,Bridgelux又推出了第三代LED阵列。



关键词:Bridgelux封装

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