数字电源控制模拟控制能力

　　　提高效率的另一个区域是当平均电流小于纹波电流一半时，对低侧FET导通时间进行计时。在同步整流中，低侧FET保持导通，允许电流逆向进入电感。这意味着RMS电流比平均电流要高。事实上，即使没有平均电流，RMS电流仍然很高。由于环流的结果会出现损耗。一种解决方案是改变低侧FET的导通时间来优化效率。

　　图15显示了这样的事实，如果低侧FET导通时间太长，反向电流就会导致较高的损耗。如果低侧FET的导通时间太短，则低侧FET体二极管的电流导通。还有一个优化低侧FET计时的方法，可以使用如上所述的占空比观测技术确定最佳计时。

(图字：损耗，低侧FET导通时间，二极管损耗，反向电流，理想损耗)

　　图15中电路的测试特性见表3。

　　图16显示了利用这项技术与同步整流相比减少的相对损耗。在二极管仿真情况下，非常低的电流的急剧变化是由于转换到数字控制器中脉冲省略模式。

　(图字：二极管损耗，反向电流损耗，损耗(W)，负载电流(A))

　　这些例子说明了数字控制在效率方面表现优于模拟。

　　结论：

　　在本文中，我们已说明了数字电源控制优于传统模拟控制的许多方面。虽然我们不指望数字控制完全接管模拟控制的市场，但是我们相信，数字控制大有前途，而设计者们会发现采用数字电源控制器的设计越来越得心应手。

　　　　　表3：测试板特性

　　Fsw=300 kHz

　　上FET = 1个英飞凌BSC030N03LS，RDSon=3mΩ

　　下FET = 2个英飞凌BSC016N03LS，RDSon=1.6mΩ

　　Lout = 0.56μH，DCR = 1.5mΩ

　　Cout = 10个47μF陶瓷

　　1个1000μF，ESR = 160mΩ电解

　　3个820μF，ESR = 10mΩ电解