DRAM续唱悲歌 台系3大厂3Q亏损达256亿元

DRAM厂第3季财报陆续公布，在价格崩盘、减产导致出货减少下，各厂第3季亏损金额都持续扩大，南亚科和华亚科合计单季亏损将近新台币190亿元，力晶第3季则亏损66.63亿元，对于DRAM产业后市，南亚科释出悲观讯息表示，近期泰国洪水问题影响到硬碟马达龙头厂日本电厂(Nidec)，客户对于11、12月订单仍在评估中，最悲观的情况是对2012年1、2月需求产生冲击，让DRAM市场更加疲软。

南亚科2011年第3季自行营收73.23亿元，较上季减少约36%，营业净损98.2亿元，税后亏损119.63亿元，以股本403亿元换算，单季每股亏损2.97元;华亚科第3季营收89.44亿元，营业损失约69.17亿元，税后亏损约70.22亿元，单季每股亏损1.52元，其中第3季税后亏损包含跌价损失约11.98亿元。

　　力晶原本第2季亏损大幅缩小，但第3季在DRAM价格大跌、减产和减少出货下，单季亏损幅度再度扩大至66.63亿元，换算每股税后亏损1.2元;合计南亚科、华亚科、力晶3大DRAM厂第3季亏损高达256亿元。

　　南亚科发言人白培霖表示，日前泰国洪水问题影响硬碟供应链，尤其是市占率超过50%的马达龙头厂商日本电产的泰国厂饱受洪灾之伤，将影响到未来个人电脑(PC)和笔!记型电脑(NB)市场出货情况，虽然客户称10月仍有库存因应，但11、12月状况都还在评估，最糟的可能性是影响2012年1、2月出货，因此对DRAM需求也会疲软;再者，2011年第4季并没有传统需求的迹象。

　　南亚科第3季亏损扩大，主要是因为其出货量较第2季减少7%，DRAM平均售价受到崩盘影响而大跌32%，导致单季亏损逼近120亿元;南亚科指出，已于7月正式导入30奈米制程技术作试产，预计2012年进入量产，期望降低成本结构。

　　展望第4季，南亚科预估位元成长率(bitgrowth)将较第3季成长5~10%，全年位元成长率预估为55~60%;再者，2011年资本支出仍维持120亿元，主要是添购转进30奈米制程技术的机器设备;再者，南亚科日前为提升净值，避免每股净值转负引发下市危机，因此宣布办理150亿股以内的私募，预计于11月17日举行临时股东会，整起私募案寄望于11月底前完成。

　　华亚科第3季每片晶圆所的晶粒数较第2季增加15%，但每片晶圆平均营收则较上季减少21%，第3季晶圆出货虽较上季成长12%，但营收仍是较上季减少12%。

　　华亚科已于9月初完成42奈米制程转换，第3季位元出货量为28%，在制程转换带动下，晶片生产总成本减少16%;华亚科表示，预估2011年第4季位元出货量将增加15~20%，全年位元出货量预期将达130%。

　　再者，华亚科从8月中开始试产30奈米制程，预计2012年第1季将开始进入量产30奈米4GbDDR3产品，目标是在2012年中30奈米制程比重可达30%。

　　华亚科指出，2011年前3季已入帐资本支出为113亿元，因42奈米制程转换所需费用较预计减少，且30奈米制程转换规划将暂时先不动用华亚M厂(原亚美科技厂房)，因此2011全年资本支出将由原本的170亿元下调至120亿元。

　　除了南亚科进行募资之外，华亚科日前也规划办理现金增资，预计发行11亿股普通股，为转进30奈米制程做准备。