TriQuint推出采用CuFlip技术的TRITIUM模块

　　技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)今天宣布，推出业内最小针对3G和4G智能手机的双频带功放双工器(PAD)---TRITIUMDuo。该新型TRITIUMDuo系列在单一紧凑模块中结合了两个特定频带的功率放大器(PA)和双工器，有效地替代了多达12个分立器件。

TriQuint中国区总经理熊挺表示：“我们已经用超过五亿个的单频带TRITIUM模块服务全球顶级智能手机，现在TRITIUMDuo系列已经被客户们认可并采用到下一代智能手机。我们广泛的技术组合使我们能够在一个小占位面积中集成两个常用频带。我们不仅为手机设计师们简化了射频前端，同时还提高了性能和灵活性。”

　　TRITIUMDuo系列所有产品的占位面积均为6x4.5mm，为设计师提供在横跨多个平台上支持多频带、多模式操作的灵活性。移动设备制造商能够凭借采用我们产品所带来的占位面积极大缩小的优势，在节省出来的更多电路板空间中可添加更多功能和特性，或者将电池做得更大，确保更薄更轻，且包含所有CDMA、3G和4G网络所需要的性能。

TriQuint的TRITIUMDuo系列为移动设备供应商提供了一系列关键优势：

　　1、最小的尺寸，高度集成

　　2个功率放大器和2个双工器集成到了一个模块，尺寸比单频带的PAD还要小

　　一个四频解决方案(2个TRITIUMDuo模块)尺寸仅约为50mm2，是同等分立解决方案尺寸的一半。

　　2、更高的灵活性

　　系列共同的占位面积可简化设计、加速整体产品上市时间

　　可以跨平台自由匹配流行的频带组合

　　3、更少的元件数量

　　可以用一个PAD替代多达12个分立器件

　　降低物料清单(BOM)成本：提升制造和供应链效率

　　4、高性能

　　为两个频带都作了优化;放大之后不需要转换，不像可配置的架构。

　　业内最广泛的技术组合实现重要的集成

　　该新型双频带TRITIUMDuo利用TriQuint专有的CuFlip技术，以铜凸块取代丝焊，从而节省了占板空间，而且消除了噪声辐射线，极大地提高了系统性能。此外，铜凸块比传统互连技术的散热性要更好。该集成的倒装晶片(FlipChip)BiHEMT功率放大器裸片，实现了业界领先电流消耗，提供最长的对话时间以及对智能手机应用来说非常关键的优异热效率。

　　该新的TRITIUMDuo也采用晶片级封装(WLP)技术，可提供密封过滤封装，以提高性能并缩小尺寸。此外，这些模块集成了高性能体声波(BAW)和表面声波(SAW)双工器功能。