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罗姆开发出超低IR肖特基势垒二极管

作者: 时间:2012-06-26 来源:电子产品世界 收藏

<特点>

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/133946.htm

1) 与传统产品相比,损耗约降低40%
  与一般用于车载的相比,VF降低约40%。有助于降低功耗。  

2) 小型封装有助于节省空间
  与传统产品相比,可实现小一号尺寸的封装设计。

3) 高温环境下亦无热失控
  实现了超低IR,因此Ta=150℃也不会发生热失控,可在车载等高温环境下使用。  

模拟电路相关文章:模拟电路基础




关键词:罗姆二极管FRD

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