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罗姆开发出超低IR肖特基势垒二极管

作者: 时间:2012-06-26 来源:电子产品世界 收藏

<规格>

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/133946.htm

  <术语解说>
  ・肖特基势垒(Schottky-Barrier Diode:SBD)
  使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可得到整流性(特性)的。具有“正向压降少、开关速度快”的特点。主要用于开关电源等。

  ・快速恢复二极管(Fast Recovery Diode:)
  正向施加的电压向反向切换时,反向电流瞬间流过。这种电流到零之间的时间―即反向恢复时间快的一种二极管。

  ・VF ( Forward Voltage)
  是指正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。

  ・IR(Reverse Current)
  是指施加反向电压时发生的反向电流。数值越小功耗越少。

  ・热失控
  反向损耗超过散热,损耗进一步增加,产品温度呈指数级上升的状态。

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关键词:罗姆二极管FRD

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