存储器各领域产业状况

1、 NAND flash

　　市场最大，接下来几年增长速度会最快，但是在中国目前没有投入设计和制造;做存储卡的小公司很多，但均是直接购买国外存储芯片来组装为成品。

　　2、DRAM

　　市场份额很大，与CPU 并列为计算机两大核心芯片。

　　在DRAM芯片设计开发方面，原奇梦达在西安建有中国研发中心，可从事DRAM完整的设计测试开发，金融危机后，被山东华芯半导体收购并更名为西安华芯半导体，继续从事存储器的开发。另外，美光在上海建有中国研发中心(独资)，从事DRAM和NOR flash的设计。

　　在DRAM芯片制造方面， 90年代末通过909工程引进NEC工艺技术，接近世界水平生产DRAM，后来不再生产。2000年后，中芯国际引进日本尔必达和德国奇梦达的DRAM工艺进行代工，技术到80nm接近世界水平，同时建有自己的低端DRAM的封装测试厂。受到金融危机的影响后，中芯国际放弃DRAM生产。另一方面，韩国海力士2005年落户无锡，经过六年发展，从早期的90nm发展到80nm、66nm及现在的44nm工艺技术。产能据说已经发展到每月18万片，占到海力士全球产能的近一半，技术也可能发展到38nm,从技术和规模上均为世界水平。但是该厂为海力士独资，不对外合作。

　　在DRAM芯片封装测试方面，美光在西安2006年开始建立有先进的大规模后端厂，目前仅做测试和模组制造。原奇梦达在苏州工业园区建有大规模的后端厂，后被苏州政府接管，更名为智瑞达，仍然从事DRAM为主的封装测试。

　　目前中国的DRAM在各环节上均有涉及，但没有形成完整的产业链，核心的芯片制造环节为韩国独资,至今没有自己的DRAM工艺和晶圆制造厂。就目前来看，国内的DRAM产品在整个国际市场上处于非常弱小的地位。

　　3、NOR flash 和 EEPROM

　　市场份额较小，中国目前主要有两家公司从事基于中芯国际90nm的小容量的NOR flash，分别是北京兆易创新科技有限公司(原北京芯技佳易微电子科技有限公司)和镇江隆智半导体有限公司，且均为设计公司。华虹有基于自己工艺的EEPROM的产品。以上公司的产品在国内均有销售，但在整个国际市场所占的份额极小。

　　从制造工艺看，中芯国际除了基于90nm NOR flash, 同时在武汉的新芯拥有飞索(Spansion)的65nm MirroBit(电荷捕获)工艺技术，目前仅能给飞索提供代工服务，两家公司已经达成协议，开始扩展到45nm 技术。每月产能大月3000片-5000片12寸晶圆。

　　4、SRAM

　　市场最小，目前主要应用于通讯类和极少数消费类，如华为、中兴等。在中国有很少几个基于老工艺做特殊SRAM芯片设计开发的研究所，但没有商业销售。国内对SRAM的需求均是直接购买国外芯片。

　　5、新型存储器

　　市场尚未开启，国内各大高校及研究机构均处于研究阶段。值得关注的是，北京时代全芯公司已经设计完成第一批基于相变存储器的产品芯片，成为中国第一家取得高密度相变存储器芯片的公司。 目前，公司已经成功设计了两颗完整的产品芯片(256Mb的LPDDR2和32Mb的SPI 芯片)，并设计了一个16Mb的嵌入式相变存储器的宏模块。