触控面板制程之化学二次强化的应用与制程问题讨论

　　(2) 化学蚀刻制程温度的管控：蚀刻制程为放热反应，若温度控制无法在适当的制程温度范围内将影响蚀刻速率的快慢。如图13两组实验数据讨论所示，数据1玻璃蚀刻为放热反应：起始温度 28.1 ℃升至35.4 ℃à 提高7.3 ℃，数据2玻璃蚀刻为放热反应：起始温度 34.8 ℃升至36.9 ℃à 提高2.1 ℃，不同起始温度经过长时间取样测量发现蚀刻温度逐渐增加，又蚀刻温度影响着蚀刻速率的变化，故选择一个温度点可接近放热反应的最终温度，可以稳定蚀刻速率和制程速率，这是化学二次强化制程调控上的重点。　　

　　(3) 玻璃砂过滤处理问题：

　　HF与SiO2反应会生成H4SiO4，而H4SiO4会沉淀下降形成所谓的玻璃砂，在蚀刻制程中若蚀刻时间越久，蚀刻玻璃的量就会越多，而玻璃砂就产生越多，玻璃砂若沉积在蚀刻槽体没有排除将影响玻璃蚀刻速率与表面质量，因此玻璃段面就容易出现凸点或是蚀刻不均的现象，影响蚀刻后的机械强度和模块的组装质量，所以化学二强制程中玻璃砂的过滤效果是否良好将决定产品出货时的良率状况。

　　(4) 蚀刻槽体较佳流场设计与过滤系统整合：

　　若槽体流场设计不佳会导致玻璃砂无法有效的由玻璃表面带走，也会影响产品的质量，较佳的流场设计也会让酸液在最短时间内有效的混合均匀，让槽体各部位的蚀刻能力达到一致性，让产品蚀刻均匀度效果更佳;玻璃砂堆积严重者会堵塞机台管路，影响供酸循环系统效果，严重者影响蚀刻效率，使产品4pb改善效果降低，一般会设置过滤器(filter)来改善玻璃砂的问题。故设计良好的过滤系统和流场较佳的蚀刻槽体，是化学二强设备设计的重点。

　　六. 结论

　　基于触控产业陆续蓬勃发展，触控产品本身的规格要求也日渐严苛，所有触控面板出货前都要批次性测试4pb test或是ball on ring test，且依据触控产品应用性其规格也各别定义，大部分的触控业者在玻璃切割制程都采用钻石刀轮切割外加精雕制程，雷射切割也有部分业者使用但成本过高，量产能力不佳，而且经过实验线数据得知近30%的雷射切割产品机械抗压性不足，需要进行二次强化(意即30%的4pb out spec)，因此玻璃二强制程设备是目前各LCD与触控面板业界急需扩充的重要投资之一，本文已经针对影响玻璃强化的重要制程参数，如：HF浓度控制、蚀刻温度控制、玻璃砂过滤、蚀刻槽体流场设计与过滤系统整合概念等，进行详细探讨与解说。弘塑科技公司(GPTC)在半导体湿式设备已经有超过10年以上的丰富经验，以半导体的设备开发规格与理念，加上对于化学清洗与蚀刻制程深入研究，运用在玻璃蚀刻和玻璃强化领域，可创造出更具有附加价值的技术，目前弘塑科技的薄化设备和强化设备已获得台湾各TFT-LCD与触控一线大厂(如：AUO、GTOC、Cando、CPTF等)的认同与肯定，设备的安全性、稳定性、精准性向来是弘塑科技产品设备基本的诉求，未来如2.5D或是3D的玻璃强化也将是弘塑科技在技术上发展的指标之一。