Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

　　日前，VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本VishaySiliconix PowerPAK^®1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。　　

Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载开关和热插拔，适配器、电池和充电电路中的负载开关，智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理。Si7655DN还可以用于固话电信、蜂窝电话基站和服务器/计算机系统中的冗余开关、OR-ing和监管应用。

　　利用新的PowerPAK 1212封装型号和VishaySiliconix业内领先的P沟道Gen III技术，Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大导通电阻。这些性能规格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

　　Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封装将有助节省宝贵的空间。

　　Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET系列中的最新成员。