DRAM现货市场买气热络 合约价呈上涨格局

　　根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，继11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，受到现货价格的激励，12月上旬的模组价格亦同步呈现上扬走势，4GB均价回到US$15.5水位，小涨1.64%;2GB模组均价同样受惠，回到US$8.9水位，涨幅同样有1.71%。观察此波上涨趋势，虽然幅度仍小，但在需求端持续低迷的情况下还能够止住跌势，足以显示PCOEM端在历经漫长的库存调节之后总算回到相对健康的水位，买货意愿亦逐步提高。在供给端方面，目前正是各家DRAM厂执行制程转进的时间点，两家韩系厂由原先供货的3X奈米逐步转往生产难度更高的2X奈米制程，美系厂美光亦逐步拉高3X奈米的生产数量，现在正处于新旧制程世代交替的衔接点，现货市场还能看到某些品项颗粒供货吃紧，带动价格往上攀升。

　　今年以来受到DRAM持续供过于求的影响，现货市场2Gb颗粒单价普遍呈现跌势，甚至在10月下旬最低点来到US$0.817美元，直到12月开始起涨，至今与最低点相较已经呈现超过15%的涨幅。对合约市场而言，现货价格仍具领先指针，再加上9月份各厂的减产效应陆续发酵，同时将生产的重心移向行动式内存，TrendForce预估减产持续进行前提下，供需间的产量将逐步趋近平衡，标准型内存持续了半年以上的跌势可望暂时休止。

　　2013年DRAM产业资本支出大减两成，制程转进速度放缓趋势确立

　　由于DRAM产业连年供过于求使得此产业已经成为”烧钱事业”代名词，近期厂商扩大产能与制程微缩，虽然可进一步降低成本，但由于竞争仍然激烈，厂商能够获利的机会有限，每年巨额的资本支出就像是双面刃，一方面若是缩减投资金额恐造成成本竞争力的不足，但若是过度投资，除了现金流的压力以外，亦极有可能导致市场的供给过剩，造成先前投资无法回收。2012年由于需求面受到个人计算机出货持续萎缩的影响，大部分DRAM厂都面临财务亏损窘境，除了调整产品组合以外，竞争力较低的厂商为了保存手头上仅有的营运现金，多以逐步减产来做为因应之道。

　　对于2013年的资本支出计划，再度缩减投资金额已获得业界共识。以产业龙头三星半导体为例，由于垂直整合策略产生良好综效，成为今年度唯一获利的DRAM厂商，为了要对市况做出最好的反应，过去三星总是在其他厂商缩手投资金额时逆向大增资本支出，今年却一反常态，除了进一步将PCDRAM生产转向MobileDRAM之外，同时也宣布将大幅缩减明年的资本支出，预估与今年相较减幅达48%，总金额仅有1.1亿美元为历年来最低。

　　其他DRAM厂亦在明年纷纷下修资本支出，根据TrendForce的调查，2013年整体DRAM产业的资本支出与2012年相较再度呈现21%的减幅，此举将影响制程转进的进度，3X奈米制程仍是2013年的主流，相较于过往一年可见2个世代制程的交替已不复见，制程转进速度趋缓已是产业心照不宣的共识。由于DRAM产业的获利模式受到需求端剧烈变化而产生结构性的改变，唯有供给端提出更有弹性的调整策略来因应，否则将很快面临淘汰的命运。