IR全新1200V IGBT为电机驱动及不间断电源应用提升功率密度和效率
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,针对工业电机驱动及不间断电源(UPS) 应用进行了优化。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/146370.htm![](http://m.amcfsurvey.com/editerupload/201306/c04d6b16ffbde10f6a29f1cce83ae9ed.jpg)
全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术,可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值,与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装,为坚固的工业应用做出了有效优化。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗,并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能,从而提高可靠性,使其非常适合恶劣的工业环境。”
这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数,以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。
规格
采用封装形式
![](http://m.amcfsurvey.com/editerupload/201306/d390e2be1f4f80d0ecdc9884d04fde65.jpg)
采用裸片形式
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