有效实现LED电流的渐进启动/停止

　　典型应用如图7所示，时序可以调整，以便应对不同的状态。任何情况下，延迟电容（图7电路图中的C5）必须为陶瓷型，以减小漏电流，低成本的电解电容不适合在这应用。如前所述，无需MCU的额外输入/输出即可激发渐进时序，启动信号即可实现两种功能。

　　另一方面，电流参考电阻（图7电路图中的R3）减小到5.6 kΩ时，可补偿晶体管Q1的Vcesat。

　　图8、图9中的波形说明了采用Rb=1.3 MΩ/Cbe=2.2mF产生软启动时，输出至4个LED的电流均为25 mA。当然，通过调整Rb/Cbe网络可以增加或减小斜升延迟。但1.5 MΩ以上的Rb值将造成系统对环境噪声敏感。如前所述，Cbe电容不可采用低成本电解电容，必须采用陶瓷型电容，以实现所期望的长时序。

　　可以采用小信号NMOS器件替代外部晶体管Q1，如BSS138。由于门极输入不吸收电流，可以产生更大时延。虽然还可以采用更小的器件运行这种应用，但必须避免所选NMOS的大Rdson造成的非受控工作电流。实际上，对于Rdson额定值为5000Ω的器件，上述参数变化较大（在整个温度范围内大概为1:2），且输出电流同时变化，使得LED亮度不均匀。因此，必须选择Rdson较小的器件，以确保LED在正常工作中可准确控制。

　　另外，由于NMOS的Vt大于双极型器件Vbe的两倍，采用NMOS器件一般不会在开始时序上增加工作延迟：Vbe为0.6 V时，范围在1.5 V。图10和图11中的PSPICE波形解释了这种状态。设计人员可选择适当的器件类型，实现这种功能。