功率MOSFET数据表深入分析

Transfer Curve：是用图表的方式表达出ID和Vgs的函数关系。厂商会给出在不同环境温度下的三条曲线。通常这三条曲线都会相交与一点，这个点叫做温度稳定点。

本文引用地址： //m.amcfsurvey.com/article/185902.htm

　　如果加在MOSFET的Vgs低于温度稳定点（在IPD90N06S4-04中是Vgs6.2V），此时的MOSFET是正温度系数的，就是f，ID的电流是随着结温同时增加的。在设计中，当应用在大电流的设计中时，应避免使功率MOSFET工作在在正温度系数区域。

　　当Vgs超过温度稳定点（在IPD90N06S4-04中是Vgs>6.2V）, MOSFET是正温度系数的, 就是f，ID的电流是随着结温的增加是减少的。这在实际应用中是一个非常好的特性，特别是是在大电流的设计应用中时，这个特性会帮助功率MOSFET通过减少ID电流来减少结温的增加。

　　EAS: 为了了解在雪崩电流情况下功率MOSFET的工作情况，数据表中给出了雪崩电流和时间对应的曲线，这个曲线上可以读出在相应的雪崩电流下，功率MOSFET在不损坏的情况下能够承受的时间。对于同样的雪崩能量，如果雪崩电流减少，能够承受的时间会变长，反之亦然。环境温度对于雪崩电流的等级也有影响，当环境温度升高时，由于收到最大结温的限制，能够承受的雪崩电流会减少。

数据表中给出了功率MOSFET能够承受的雪崩能量的值。在次例子中，室温下的EAS=331mJ

　　上表给出的只是在室温下的EAS，在设计中还需要用到在不同环境温度下的EAS，厂商在数据表中也会给出，如下图所示。