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基于CSMC工艺的零延时缓冲器的PLL设计

作者: 时间:2010-08-26 来源:网络 收藏

  NMSO 电流源有两个作用:其一是通过减小电流而不是减小其宽长比来降低 负载器件的跨导gm,从而在一定程度上提高增益;其二是通过Vctrl 来改变有效的线性负载,调节输出摆幅。 对源端耦合的差分结构来说,差分输入对的衬底通常有两种接法:一是接到源端,消除衬偏效应,但 这种接法使源端到地的电容很大,增加抖动:另一种接法是接到最高电位上,这样节点电容将减小,但 由于衬偏效应使阈值电压增大,且随共模输入电压而变。因此本文根据实际需要,将衬底接到如图3 中 虚线所示的衬底偏置产生电路上,近似于左边差分结构的一半,使输入对管的衬底电压较源极略高,在 减小源极节点电容的同时,又不至于使阈值电压太大。节点电容的减小也有效降低了VCO 的抖动,改 进后的结构周对周抖动减小。阈值电压随控制电压的变化而变化,从而调节振荡幅度和频率。另外,体 效应还使振荡器起振所需的控制电压减小。至此环行振荡器的三个主要性能都得到了优化。

  3 仿真结果与版图

  本设计采用公司的0.5μm 的CMOS 模型进行了仿真,主要使用Hspice 进行仿真,50MHz 下 的仿真结果表明,在VDD/2 时输入与输出延时为0,可实现缓冲器的作用,控制电压Vctrl 的变化过程如图4a 所示,从图中可以看出锁定时间为0.31ms,功耗为4.8mV。

  图4b 为压控振荡器的频率随控 制电压变化的曲线,由图中可以看出在工作频率内呈现很好的线性关系,这主要是由VCO 的结构决定 的。增益为83.3MHz/V,有资料表明,与高增益结构相比,较低的VCO 增益会使由耦合噪声抖动大大减小。 图5 为该的版图,整个版图面积为1.2μm×1.7μm,版图设计使用的是Cadence Virtuoso 工具,在 设计中注意完全对称规则,抑制共模噪声。

  另外,整个芯片包括许多数字控制电路,为了抑制其引入衬 底噪声采用隔离环进行隔离,并将数字电路与模拟电路尽量远离,实现电源、衬底和地的很好的隔离。

  结论:本文采用0.5um设计了一款用于缓冲器的,仿真结果表明,在负载电 容为15pF 时的周对周抖动为45ps,在满足各项要求的同时实现了时钟所要求的低抖动性能。完全满足 零延迟时钟缓冲器的要求,本设计产品已通过J750 的测试,证明符合应用要求。

  本文的创新点在于采用了共源共栅结构的电流源提供充放电点流,增大输出阻抗,当控制电压有微 小变化时不会引起点流发生大的变化,因此这种结构能提供更好的匹配点流。另外,压控振荡器两个输 入对管的衬底接法也是本文的创新点,能有效的抑制衬底噪声。

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