中国NAND快闪存储器产业迈入新纪元

　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，中国记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NANDFlash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展记忆体产业的态势下，将开始进入新的里程碑。

　　DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NANDFlash产业也展现强大的企图心。不同于国际NANDFlash大厂，武汉新芯选择与飞索半导体(Spansion)共同合作开发3D-NAND Flash技术，并在去年完成初期晶片电气测试后，持续往更高的堆叠数迈进，目标2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的产品，切入高成长性的快闪记忆体产业，也透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际NAND Flash大厂的差距。

　　武汉新芯规划的新厂产能为长期20万片，产能的提升必需要伴随未来技术开发的成熟，生产的稳定;杨文得表示，20万片为长期的最终计划，非短期能达成，比较明显的产出提升应该在5~10年之后。英特尔(Intel)大连厂自今年第四季加入生产行列的带动下，来自中国生产的NAND Flash晶圆将占全球的8%，2017年第三季前可超过10%，显示中国发展NAND Flash产业的积极度也让国际大厂加速布局角度。

　　目前NAND Flash产业除三星量产3D-NAND Flash，且已在各大PC-OEMs业者中获得不错的市占率，第三代3D-NAND Flash也将完成产品测试阶段，可望在2016下半年随着新款笔记本电脑铺货的需求而开始量产。

　　其他NAND Flash业者也陆续加速3D-NAND Flash的开发，自今年下半年将可开始导入相关固态硬碟的需求应用而出货。DRAMeXchange预估2016年整体NAND Flash产业的3D-NAND Flash产出比重将可快速攀升至20%，较去年的6%有显着成长，将可让相关固态硬碟的普及与渗透率成长更加快速。

　　国际NAND大厂比较