三星开始量产10nm级DRAM,采用ArF液浸四重曝光
韩国三星电子2016年4月5日宣布,开始量产采用10nm级工艺制造的首款DRAM芯片。新产品为DDR4型8Mbit产品。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201604/289567.htm![](http://m.amcfsurvey.com/editerupload/201604/e981dfd868f8b47e74db2c2ebb16df41.jpg)
此次发布的DDR4型DRAM芯片采用10nm级(1x)工艺制造。三星面向此次的芯片,新开发了自主设计的新存储单元结构、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技术、采用极薄绝缘膜形成技术制作的厚度均匀的存储电容等。由此,无需使用EUV装置,可利用现有的液浸ArF装置量产。三星还预定将此次的技术用于下一代10nm(1y)工艺的开发。
新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度,较现有20nm级DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%,而耗电量削减了10~20%。三星预定在不久的将来开发采用此次的10nm级工艺的移动DRAM。
该公司还将采用以此次的8Gbit产品为首的10nm级DDR4型DRAM芯片生产存储器模块(内存条)。将面向笔记本电脑推出4GB的模块,面向企业服务器推出128GB的模块。之前采用20nm级DRAM的DDR4型DRAM内存将在2016年内陆续换成10nm级产品。
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