传三星邀协力厂研发EMI遮蔽制程 意在瞄准苹果NAND订单

　　传闻三星电子(Samsung Electronics)半导体暨装置解决方案事业部(DS)正与多家业者共同进行EMI遮蔽制程研发，有意重启对苹果(Apple)供应NANDFlash存储器，过去4年来三星电子与苹果的NANDFlash交易中断。

　　据韩媒ET News报导，日前业界表示，三星电子正与PROTEC、诺信(Nordon Asymtek)、韩松化学(Hansol Chemical)、Ntrium等多家点胶机(Dispense)业者，共同研发以喷涂(Spray)方式进行EMI遮蔽制程。

　　其中，PROTEC与诺信负责研发设备;韩松化学与Ntrium负责研发液态遮蔽材料。研发完成后，三星电子就可在NANDFlash封装覆盖一层EMI遮蔽膜，并且对苹果iPhone供货。三星电子计划在2017年达成这项目标。

　　苹果从2012年9月推出的iPhone 5开始，要求用于iPhone的NAND Flash封装，必须要有防电磁波干扰(Electro Magnetic Interference;EMI)遮蔽技术。由于三星电子无法满足苹果的规格要求，之后苹果便未采用三星电子生产的NAND Flash存储器。

　　半导体芯片EMI遮蔽是指，在封装表面覆盖一层超薄金属材质的制程。现行采用的方式是以溅镀机(Sputter)，利用电浆(Plasma)将超薄金属遮蔽材料均匀的蒸镀在表面。

　　目前搭载于iPhone的NAND Flash封装是采LGA(Land Grid Array)。LGA是封装的底部有针脚的形式，因装配到印刷电路板(PCB)时，针脚与电路板的插孔紧密贴合，因此在EMI遮蔽制程只需在上半部进行。

　　三星电子认为，BGA(Ball Grid Array)形式封装的底部呈现球状(Ball)，若以溅镀方式进行EMI遮蔽，会产生许多空隙，不容易完整包覆。以喷涂(Spray)制程进行EMI遮蔽，能顺利将BGA的球状部分完整覆盖。

　　喷涂设备的优点是比溅镀机便宜。一组溅镀机的设备若要50亿韩元(约438.20万美元)，喷涂设备只需7~8亿韩元即可购得。不仅如此，用于喷涂的材料价格也较便宜，可节省制程费用。业界认为，就体积与重量而言，BGA也比LGA来得有利。

　　三星电子打算重新对苹果供应NAND Flash，主要是因为最近存储器市场开始出现供给过剩的现象。若2017年三星电子平泽新厂也投入3D NAND Flash量产，整个NAND Flash市场就可能发生供过于求的问题，因此三星电子必须赶紧开辟新订单。

　　SK海力士(SK Hynix)将供应苹果iPhone用的NAND Flash芯片封装委托给日月光进行。据了解，目前也和三星电子研发将同的EMI遮蔽解决方案。

　　采用EMI遮蔽技术能减少电磁波干扰，降低电子产品出错的机率，电路板也可设计的更精密，芯片间的距离也可缩短。如此一来，机体内部腾出的多余空间可用于扩充电池容量，延长机器使用时间。

　　苹果从iPhone 5开始在内建无线电频率(Radio Frequency;RF)芯片与高时频控制器的NAND Flash封装上采用EMI遮蔽技术。在2016年上市的iPhone 7内，更将EMI遮蔽技术扩大应用到内部大部分的芯片上。