ARM基于台积电10nm多核测试芯片问世

ARM宣布首款采用台积公司 10奈米FinFET制程技术的多核心 64位元ARMv8-A 处理器测试晶片问世。模拟基准测试结果显示，相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算晶片的16奈米FinFET+ 制程技术，此测试晶片展现更佳运算能力与功耗表现。

　　新款测试晶片已成功获得验证，2015 年第 4 季已完成设计定案。

　　此 款测试晶片已成功获得验证(2015 年第 4 季已完成设计定案)，为ARM与台积公司持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积公司最先进的10奈米 FinFET 制程完成设计定案。此外，亦可供 SoC 设计人员利用基础 IP (标准元件库、嵌入式记忆体及标准 I/O) 开发最具竞争力的 SoC，以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。

　　ARM 执行副总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示：“高阶行动应用 SoC 设计的最高指导原则就是低功耗，因为现今市场对装置效能的需求日益高涨

　　”Pete Hutton进一步指出，“台积公司的16奈米FFLL+制程与 ARM Cortex处理器已奠定低功耗的新标准。我们与台积公司在10奈米FinFET制程技术的合作，可确保在SoC层面上的效率，使客户在维持严苛的行动功 耗标准下，同时能够有余裕发展更多的创新。”

　　台积公司研究发展副总经理侯永清博士表示：“透过与ARM 合作，使我们在制程技术与 IP 的生态系统上能快速地进展，并加速客户的产品开发周期。”侯永清指出，“我们联手定义处理器技术，持续促进行动通讯市场的发展，最新的努力成果就是结合 ARM 处理器与台积公司10奈米FinFET 技术，为各种高阶行动装置及消费性电子产品的终端使用者带来崭新体验。”

　　此款最新的测 试晶片是 ARM 与 台积公司长期致力于先进制程技术的成果，植基于2014年10月宣布的首次 10奈米FinFET 技术合作。ARM与台积公司共同的IC设计客户亦获益于提早取得ARM Cortex-A72处理器的 ARM Artisan实体IP与16奈米FinFET+设计定案，此款高效能处理器已获当今多款畅销高阶运算装置采用。