富士通半导体推出基于2.7V-5.5V的宽电压FRAM产品

上海，2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止，富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器FRAM供应商，富士通后续还将根据市场需求推出更大容量的产品。

FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。富士通FRAM产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口;富士通FRAM产品具备了高速读写，高耐久性，低功耗三大特点,使其不同于其他非易失性存储器。FRAM产品广泛的应用于仪器仪表，工业控制，汽车电子，金融POS等各种先进领域，对于这些领域来说FRAM的高速读写，高耐久性，低功耗等特性非常重要。

凭借公司内部一体化的开发和制造流程，富士通半导体可以更加优化设计和工厂间的密切合作，这为富士通向客户稳定的提供高质量产品打下了基础。

富士通FRAM现有产品列表

MB85RC256V重要参数

•256Kb 存储容量，采用32kx 8位结构

•1012次的读写次数

•数据保存10年(+85°C)

•2.7V-5.5V工作电压范围

串行外设接口-I2C

•4.5V-5.5V,工作频率达1MHz

•2.7V-4.5V,工作频率达400KHz

温度及封装配置

•-40°C至 +85°C的工业温度范围

•支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺寸的SOP-8封装

供货时间

从2012年8月中旬起提供样品,2012年10月中旬起可以接受批量订货。