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PIC内部EEPROM的操作

作者: 时间:2016-11-11 来源:网络 收藏
1.方法一:

PIC内部EEPROM的操作

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201611/316761.htm

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字节写程序
//功能:写一个字节到内部EEPROM
//入口:EEADR=地址
//EEDATA=数据
//--------------------------------------------------------
void write_eeprom ( void )
{
//while ( WR )//等待上一次写操作结束
//{
//asm ("clrwdt");//喂狗
//}
EEPGD = 0 ; //设置访问目标为EEPROM
WREN = 1 ;//允许进行写操作
GIE = 0 ; //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //启动一次写操作
GIE = 1 ; //使能中断
WREN = 0 ;//关闭写操作
}

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字节读程序
//功能:从内部EEPROM读一个字节
//入口:EEADR=地址
//出口:EEDATA=数据
//--------------------------------------------------------
void read_eeprom( void )
{
EEPGD = 0 ; //设置访问目标为EEPROM
RD = 1 ; //启动一次读操作
}


//--------------------------------------------------------
//FLASH字节写程序
//功能:写一个字节到内部FLASH
//入口:EEADRH,EEADR=地址
//EEDATH,EEDATA=数据
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ; //设置访问目标为FLASH
WREN = 1 ;//允许进行写操作
GIE = 0 ; //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //启动一次写操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ; //使能中断
WREN = 0 ;//关闭写操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字节读程序
//功能:从内部FLASH读一个字节
//入口:EEADRH,EEADR=地址
//出口:EEDATH,EEDATA=数据
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ; //设置访问目标为FLASH
RD = 1 ; //启动一次读操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}

2.方法二:

void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)//写EEPROM
{
do{;}
while(WR==1);//上一次写操作是否完成
EEADR=addr;//EEPROM地址
EEDATA=data;//准备写入EEPROM的数据
EEPGD=0;//指向EEPROM数据储存器
WREN=1;//使能写操作
EECON2=0x55;//设置通用参数
EECON2=0xAA;//设置通用参数
WR=1;//开始写
do{;}
while(WR==1);//等待写操作完成
WREN=0;//禁止写操作
}
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)//读EEPROM
{
unsigned char num;
do{;}
while(RD==1);//上一次读操作是否完成
EEADR=addr;//EEPROM地址为00H
EEPGD=0;//指向EEPROM数据储存器
RD=1;//开始读
do{;}
while(RD==1);//等待读操作完成
num=EEDATA;//读出
return(num);//返回读出的数
}

说明:两个程序基本步骤是一致的。个中的差别是:

1、一程序中更严密,其中增加了对WR和RD标志位的判别,缺点是实时性较差。

2、而二程序中没有这个对WR和RD标志位的判别。那是因二将该判别的动作放在了上级程序中。也就是说,二在调用write_eeprom 函数之前,会先行判断WR。确信上次写操作已经结束后,才去调用新一次的写操作。这样做的目的是为了系统的实时性。

3.方法三:

PICC系统自带“ PIC.H”文件中,已经内嵌了这两个函数。!

以下是“ PIC.H”文件中的内容:

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear. This is by
design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
desired. To guarantee uncorrupted writes, use the function
eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
before calling EEPROM_READ().
*/
#ifEEPROM_SIZE > 0
#ifdef__FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#defineEEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else// else doesnt write flash
#defineEEPROM_WRITE(addr, value)
do{
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
if(CARRY)GIE=1;
}while(0)
#defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif// end EEPROM routines



关键词:PIC内部EEPRO

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