FLASH一般是8位或16位，当它接到32位的ARM上时，地址位就会错位。对于16位FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1。对于8位FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0。ARM的A0对应8位，ARM的A1对应16位，ARM的A2对应32位，如果FLASH是32位，那么FLASH的A0接ARM的A2
32位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A2，因为32位地址表示4个字节，每次要跳4个字节的话，那么就是从A2开始才变化，A1 A0不变化
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/201611/321046.htm16位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1，因为16位地址表示2个字节，每次要跳2个字节的话，那么就是从A1开始才变化，A0不变化
8位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0，因为8位地址表示1个字节，每次要跳1个字节的话，那么就是从A0开始才变化。
对于 16位的FLASH ，我们可以这样认为：16位存储器的设计者将低位A[0]省掉了，我们只要读取一次就可以得到两个字节，读取的
这个地址对应于ARM发出的地址的A[21..1]，即实际上是存储器需要的偶地址（偶地址是针对ARM发出的地址而言的）。
LPC2200，S3C2410A,S3C2440等都是上述这样的，当然也有不同的。
IMX27和BF537这两款CPU都是不管存储器是多少位的的,都是直接A0-B0,没有任何考虑错位的情况，是因为他们的存储控制器已经内部作了处理
了,三星的如S3C2443S3C2450S3C6410等后续的也都是这样子了
再来看看外部总线配置EMC和外部总线功能引脚的关系：
OE：输出使能 OUT EABLE
WE：WRITE EABLE 写入使能
CE：chip EABLE 片选
ALE：地址锁存使能（ADRESS LOCK EABLE）
BLS：字节选择信号
重点看 WE BLS 的关系
在LPC2200系列ARM中，为了适应外部存储器组的宽度和类型，EMC提供了一组字节选择信号，要实现这些功能，需要对相应存储器配置寄存器中的RBLE位进行设定。
对外部存储器组进行写访问时，RBLE位决定WE信号是否有效；
对外部存储器组进行读访问时，RBLE位决定BLSn信号是否有效。
外部存储器的接口取决于存储器组的宽度（32位、16位、8位，由BCFG的MW位决定）。而且，存储器芯片的选择也需要对BCFG寄存器的RBLE位进行适当的设置。选择8位或者不按字节区分的的存储器的时候，RBLE位应该为0，在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉高。当存储器组为含有字节选择选择输入的16位或32位存储器组成的时候，RBLE位应该为1，在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉低。注意这里没有对RBLE为0或1的时候，写访问期间BLS[3:0]引脚的电平作出交代。
以16位宽的存储器组连接16位的存储器芯片为例（这种情况比较常见，周立功的easyarm2200就是这样的）。很显然这里RBLE位应该为1。
BLS[1]、BLS[0]分别接到了存储器芯片的UB、LB脚。作为16位的存储器芯片，要取得16位宽度的字，无论是读访问还是写访问，UB和LB位都必须为低电平0。作为16位的ram，程序中不可避免的存在对它的写操作。程序能正常运行就说明对它的写操作是成功的。可以进一步推断在写访问期间，BLS[1] 、BLS[0]是低电平的。当存储器组为含有字节选择选择输入的16位或32位存储器组成的时候，RBLE位应该为1，在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉低。在写访问周期EMC同样是将BLS[3:0]拉低。
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