采用STM32F101与外部ADCS5550。
本文引用地址:
//m.amcfsurvey.com/article/201611/321484.htm
刚刚接触这个CS5550,感觉时序有点怪异。尤其是读的时候,在后3个指节,还要写SYNCO.
刚开始对这个非常不理解。后来参考了网上的一个程序。貌似网上就只有一个程序。于是有一点理解。就是说,单片机在读CS5550的数据时(也就是读MISO)还要往CS5550(MOSI)写数据。
CS5550读写大致是这样的。
读写都要32个周期。
前8个周期读写都是相同的,就是都要先写地址,然后读/写 地址的内容。
但是读的时候在后24个周期的时候要写3次SYNCO(11111110).这个是难点,容易被忽略。
刚开始我也琢磨了很久。
后来终于柳岸花明。
然后就是周期的选择,我是先低后高。看到网上很多程序都是先高后低。网上的程序我没有成功过。可能自己没设置好。
把自己的代码分享下,可能还有错误。大家可以指点下。
总之写程序要有耐心,可以模仿别人,但是千万复制。往往复制的都会是有问题的。
//延时都是精确延时,时间可以短一点没问题Delay_us(10)都行;
u32 Read_CS5550(u8 Read_Addr)
{
u8 Num;
u32 Read_Temp,Read_Data=0;
CS5550_CS_1;
Delay_us(50);
CS5550_CS_0;
Delay_us(100);
//数据手册上说每次写的时候要等24个周期。自己试验后不需要等。
for(Num=1;Num<=8;Num++)
{
if(Read_Addr&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(1);
SCK_1;
Delay_us(1);
Read_Addr=Read_Addr<<1;
}//写命令字
MOSI_1;
for(Num=1;Num<=24;Num++)
{
SCK_0;
Delay_us(20);
if(Num==7||Num==15||Num==23)//这里是难点,自己琢磨下。
MOSI_0;
if(Num==8||Num==16||Num==24)//这里是难点,自己琢磨下。
MOSI_1;
Read_Data=Read_Data<<1;
Read_Temp=MISO;
if(Read_Temp)
Read_Data=Read_Data+1;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
}
MOSI_1;
CS5550_CS_1;
Delay_us(200);
return Read_Data;
}
//READ 修改。。
void Write_CS5550(u8 Write_Addr,u32 Write_Data)
{
u8 num;
CS5550_CS_1;
Delay_us(50);
CS5550_CS_0;
Delay_us(50);
MOSI_1;
Delay_us(200);
for(num=1;num<=8;num++)
{
if(Write_Addr&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Write_Addr=Write_Addr<<1;
}//写命令字
for(num=0;num<24;num++)
{
if(Write_Data&0x800000)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Write_Data=Write_Data<<1;
}//写数据
MOSI_1;
SCK_0;
Delay_us(100);
CS5550_CS_1;
}
void Write_Command(u8 Command_Data)
{
u8 NUM;
CS5550_CS_1;
Delay_us(100);
CS5550_CS_0;
Delay_us(200);
for(NUM=1;NUM<=24;NUM++)
{
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
}
for(NUM=1;NUM<=8;NUM++)
{
if(Command_Data&0x80)
MOSI_1;
else
MOSI_0;
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
Command_Data= Command_Data<<1;
}
for(NUM=1;NUM<=24;NUM++)
{
SCK_0;
Delay_us(200);
SCK_1;
Delay_us(200);
}
CS5550_CS_1;
SCK_1;
MOSI_1;
}
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