stm32的flash如何写数据和当做eerom使用
在bootloader里NVIC_configuration()
是这样的
void NVIC_Configuration(void)
{
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
#ifdefVECT_TAB_RAM
/* Set the Vector Table base location at 0x20000000 */
NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_RAM, 0x0);
#else/* VECT_TAB_FLASH*/
/* Set the Vector Table base location at 0x08000000 */
NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, 0);
#endif
/* Configure one bit for preemption priority */
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_1);
}
在功能程序里边就要将0X8000000改成0x8000001l了。在keil编译软件里要设置一下。在general options里。那么FLASH可以存放程序，当然也可以当EEROM用了就是这个道理。
STM32FLASH简介
不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。战舰STM32开发板选择的STM32F103ZET6的FLASH容量为512K字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），
STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000，B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。另一部分用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
闪存的读取
内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个AHB接口与CPU衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取CPU要求的指令块，预取指令块仅用于在I-Code总线上的取指操作，数据常量是通过D-Code总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问D-Code将比预取指令优先级高
这里要特别留意一个闪存等待时间，因为CPU运行速度比FLASH快得多，STM32F103的FLASH最快访问速度≤24Mhz，如果CPU频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用72Mhz的主频，那么FLASH等待周期就必须设置为2，该设置通过FLASH_ACR寄存器设置,具体代码体现在RCC_Configuration（）内部这句话
/*设置FLASH延时周期数为2 */
FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);。
使用STM32的官方固件库操作FLASH的几个常用函数。这些函数和定义分布在文件stm32f10x_flash.c以及stm32f10x_flash.h文件中。
1.锁定解锁函数
在对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）,固件库函数实现很简单：
voidFLASH_Unlock(void)；
同样的道理，在对FLASH写操作完成之后，我们要锁定FLASH，使用的库函数是：
voidFLASH_Lock(void)；
2.写操作函数
固件库提供了三个FLASH写函数：
FLASH_StatusFLASH_ProgramWord(uint32_tAddress,uint32_tData);
FLASH_StatusFLASH_ProgramHalfWord(uint32_tAddress,uint16_tData);
FLASH_StatusFLASH_ProgramOptionByteData(uint32_tAddress,uint8_tData);
顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord为32位字写入函数，其他分别为16位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32位字节写入实际上是写入的两次16位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的STM32闪存的编程每次必须写入16位并不矛盾。写入8位实际也是占用的两个地址了，跟写入16位基本上没啥区别。
3.擦除函数
固件库提供三个FLASH擦除函数：
FLASH_StatusFLASH_ErasePage(uint32_tPage_Address);
FLASH_StatusFLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_StatusFLASH_EraseOptionBytes(void);
这三个函数可以顾名思义了，非常简单。
4.获取FLASH状态
主要是用的函数是：
FLASH_StatusFLASH_GetStatus(void)；
返回值是通过枚举类型定义的：
typedefenum
{
FLASH_BUSY=1,//忙
FLASH_ERROR_PG,//编程错误
FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
FLASH_COMPLETE,//操作完成
FLASH_TIMEOUT//操作超时
}FLASH_Status;
从这里面我们可以看到FLASH操作的5个状态，每个代表的意思我们在后面注释了。
5.等待操作完成函数
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：
FLASH_StatusFLASH_WaitForLastOperation(uint32_tTimeout)
入口参数为等待时间，返回值是FLASH的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。
6.读FLASH特定地址数据函数
有写就必定有读，而读取FLASH指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数：
u16STMFLASH_ReadHalfWord(u32faddr)
{
return*(vu16*)faddr;
}
而流程就是
触发条件----àFlashunlockàserialdown--àflashlock
看了半天，原来只要几句就可以解决，当然是不考虑其他功能，只是简单的读写操作。
其中写操作如下：
FLASH_Unlock();//解锁FLASH编程擦除控制器
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
/*********************************************************************************
// FLASH_FLAG_BSY FLASH忙标志位
// FLASH_FLAG_EOP FLASH操作结束标志位
// FLASH_FLAG_PGERR FLASH编写错误标志位
// FLASH_FLAG_WRPRTERR FLASH页面写保护错误标净
**********************************************************************************/
FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR); //擦除指定地址页
FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //从指定页的addr地址开始写
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_Lock(); //锁定FLASH编程擦除控制器
从上面可以看出基本顺序是：解锁-》清除标志位（可以不要）-》擦除-》写半字16位-》清楚标志位（也可以不要）-》上锁。其中FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址，2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。addr*2是因为每个数据占用2字节（半字），虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。
用YMODEM协议(ymodem协议自己脑补)烧写会用到flasheraser,剩下的就是要写的数据地址，数据包大小处理，怎么写到每一页去，以后更新!
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