芯芯向荣or芯芯向戎 中国晶圆制造业发展情况解读

　　六、“两头在外”的困境如何破局

　　01专项总体专家组组长多个场合表示，国家为什么要颁布推进纲要?首先是满足国家的战略需求。国家战略发展中所依靠的一些核心的芯片，我们基本上都依赖国外。其次，解决产业发展“两头在外”的现象。也就是说，我们的设计企业，加工在外;制造企业，设计在外。

　　那么问题来了?核心的芯片就是CPU、内存芯片、高速高精度AD/DA芯片、高端FPGA芯片和IGBT等。这些不是简单建几个FAB就可以生产，这些都需要更先进的工艺技术。

　　为了破局“两头在外”的困境，我们必须有更先进的工艺来支撑。

　　目前中芯国际和华力微的28nm工艺都于2015年下半年成功试产，还处在小规模量产阶段，还只是28nm Poly。而28nm HKMG仅仅只是试制成功，离量产应该还有一段路要走。

中芯国际12寸晶圆代工工艺主要是65/55nm、45/40nm两大工艺节点，合计占公司总营收43%，公司CEO邱慈云表示28nm的营收在2017年将占公司总营收的7-9%。

中芯国际将跳过20nm制程，直接进入14nm FinFET工艺制程，这将对中芯国际是一个巨大的考验。FinFET和Bulk CMOS工艺是完全不同的，Bulk CMOS是平面工艺，FinFET是立体工艺。

　　华力微在攻关28nm、14nm工艺的同时，也在评估FD-SOI技术，希望凭借其低成本优势和FinFET技术展开竞争。

　　其时在SOI方面国内已经进行了布局。材料方面，2015年上海新傲科技已开始生产SOI工艺的200毫米晶圆，引入的是法国Soitec公司独有的Smart Cut技术。

　　有工艺专家表示，虽然SOI工艺错过成为主流技术的机会，无法与FinFET争夺主流地位，也不会取代FinFET。但可以进行差异化竞争，不和FinFET拼性能，但可以在合适的领域拼性价比，比如RF、嵌入式MARM、低功耗。

　　所以华力微未来上马FD-SOI工艺技术，不失为一条捷径。

　　七、小结

　　1、中国是需要建FAB，但是我们的设备材料产业要跟上，我们不能依靠美欧日的设备材料公司提供，一旦有情况发生，将出现巧妇难为无米之炊。让人欣慰的是，在02重大专项支持下，我国的设备材料产业取得了喜人的进步，刻蚀机、氧化机、薄膜、光刻、离子注入等设备成功替代国外厂商同类产品，进入中芯国际。同时随着国产设备大量投入使用，将使得我国芯片制造的设备采购成本降低。

　　2、在12寸及尖端先进工艺方面，国家必须砸入重金进行持续支持，FinFET和SOI同时攻关，紧跟国际先进技术，不要妄想弯道超车，弯道超车稍有不慎就会车毁人亡。我们只要跟住对手，不要再次拉大差距，迫使对手忙中出错，直线超车又快又安全。

　　3、加大人才培养力度。除了在大学进行培养外，还应该在中芯国际、华力微、华虹宏力等公司加大梯队人才培养，要让中芯国际、华力微、华虹宏力成为我国晶圆制造业的黄埔军校。只要黄埔军校真正发挥作用，中国的晶圆制造的运营团队就不再需要花费3倍高价去台湾、美国等地区挖人了。

　　4、中央政府对晶圆制造要有合理的布局，同时对地方政府的不规范行为应该进行遏制。地方政府不能给予外资晶圆制造以超国民待遇，以免与内资企业造成不公平竞争环境。