ICCAD盛大开幕华虹宏力“芯”动亮相

作者：时间：2017-11-17 来源：电子产品世界收藏

　　2017年11月16-17日，“中国集成电路设计业2017年会暨北京集成电路产业创新发展高峰论坛”(“2017年ICCAD年会”)在北京稻香湖景酒店举办。全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号：1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)精彩亮相。在这场多方瞩目的行业盛会上，华虹宏力积极响应“创新驱动，引领发展”的大会主题，向客户及合作伙伴展示了其差异化特色工艺及最新技术解决方案。

本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/201711/371674.htm

　　11月的北京，气温已然低迷。原本清冽的稻香湖畔，却因“2017年ICCAD年会”的召开而颇显炽热。本届大会深入探讨了集成电路产业面临的机遇和挑战。当下，我国集成电路产业正蓬勃发展，华虹宏力作为半导体制造企业的代表，将持续发展特色工艺，助力中国“芯”腾飞。

　　华虹宏力以特色引领创新，在嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及混合信号、电源管理IC、射频和微机电系统(MEMS)等晶圆代工领域享有领先地位。全系列的嵌入式存储器工艺平台组合中，专为物联网打造的0.11微米超低漏电(ULL)嵌入式闪存平台，N/P管静态漏电<1pA/μm，并支持RF-CMOS设计;95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工艺平台，助力客户在MCU应用市场提高竞争力，95纳米的低本高效MTP(Multiple-Time Programming)工艺平台也在加速研发中;90纳米eFlash/eEEPROM工艺平台则将加固公司在智能卡领域的优势。聚焦功率器件市场，华虹宏力的深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及场截止型IGBT(Field Stop，FS IGBT)工艺平台在业界广受认可，其中，第三代DT-SJ实现了超低导通电阻，超高开关速度的特性;1700V IGBT技术已开发完成，适用于高端工业及新能源汽车的IGBT技术也指日可待。华虹宏力还可提供全套的电源管理芯片代工方案，拥有全系列的BCD/CDMOS和CMOS模拟工艺平台，涵盖1微米到0.13微米，1.8V到700V。正处于战略准备阶段的第二代BCD700V工艺平台，将在原先基础上减少2层光罩，并优化DMOS性能。针对射频技术，华虹宏力提供硅衬底全系列工艺解决方案，包括RF SOI、与逻辑工艺兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等。0.2微米射频SOI工艺设计套件(PDK)颇受好评，能有效帮助客户提高设计效率。研发团队还在持续研发0.13微米射频SOI等射频相关技术，以响应智能手机出货量的增长及未来5G移动通信的发展。

　　大会期间，华虹宏力战略、市场与发展部门部长胡湘俊以“智能时代，畅想芯机遇”为题发表演讲：5G、人工智能等新兴领域已开始发酵，面对“芯”时代，华虹宏力如何走好特色创新之路?演讲现场，高潮迭起，精彩不断。