优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定

6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。

鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。

资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKING ERH SiC RV4.0电阻法SiC长晶设备，可用于6英寸、8英寸量产。

据了解，此前4月，优晶半导体最新出口至某国际知名客户的大尺寸电阻法长晶设备已顺利通过验收，标志着优晶科技国际业务取得突破。此次出口的SiC电阻法长晶设备，是优晶科技根据市场需求研发的第四代产品，设备的稳定性、可靠性、工艺水准均有提升。