南车株洲所推出国内首款超级IGBT芯片

　　12月27日，南车株洲所研制的高压高功率密度IGBT芯片及其模块，通过了由省科技厅组织的科技成果鉴定。来自中国科学院和中国工程院的4位院士组成的鉴定委员会认为，该成果总体技术处于国际领先水平。

　　这是国内目前唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相。该产品具有耐压高、电流大，功率损耗低、动态性能好等优点，其各项技术均填补了国内行业空白。

　　该公司IGBT事业部总经理刘国友介绍，高压高功率密度的IGBT是现代大功率变流装置的“心脏”和绿色高端产业的“核芯”。其应用领域从传统的电力、机械、矿冶到4C产业，扩大到轨道交通、柔性直流输电、航空航天、新能源装备等战略性新兴产业，具有重大的战略价值和经济价值。

　　目前，中国已成为世界上IGBT产品最大的消费市场。此前，高压高功率密度IGBT技术几乎全部被国外少数几家企业垄断。从2011年开始，南车株洲所对该项高端技术进行自主攻关，在去年12月开发出国内首款从芯片到模块完全自主化的3300伏等级的IGBT芯片，并在此基础上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模块，初步形成了IGBT器件技术的完整产品型谱。