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突破电路设计桎梏 32位元MCU功耗再降

作者: 时间:2013-12-04 来源:网络 收藏
bkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  运行频率12MHz,MCU电压3伏特,LDO输出1.8伏特供给CPU内核、记忆体及其他数位电路;低功耗Cortex-M0内核:600微安培;嵌入式快闪记忆体:1.5毫安培;低功耗12MHz晶振电路:230微安培;LDO本身的静态消耗电流:70微安培。

  总和=0.6+2+0.23+0.07=2.4毫安培,平均功耗约200μA/MHz。其中耗电比例最高的是嵌入式快闪记忆体。若要运行在更高频率,通常会启动内建的锁相回路(PLL)提供更高频率的时脉源,在1.8伏特供电的典型PLL,12MHz输入输出、48MHz工作电流约为1?2毫安培,若不能有效降低PLL耗电,对高频工作的低功耗MCU将是一大电流负担。

  LDO的最低静态功耗、32.768kHz晶振电路、BOD及扭转向列型液晶显示器(TN LCD)驱动电路的工作电流,都会大大影响到待机或RTC模式的功耗指标。以低功耗应用的热能表为例,RTC加LCD显示的功耗要求在3V/8微安培以下,这代表可以预估分配给下列电路的电流预算为:LDO静态功耗0.5微安培+32.768kHz晶振及RTC电路1微安培+BOD1微安培+TN LCD驱动4微安培+LCD玻璃1微安培+所有数位电路及类比周边漏电流0.5微安培。这些类比周边除了低耗电要求,同时必须兼具要求批量生产及温度变化时的一致性,这对类比设计人员将是一大挑战。

  快速唤醒这个性能指标也会影响到下列类比周边的稳定时间。当MCU从低耗电的待机模式唤醒时,首先要将LDO快速切换到高供电模式,启动内部高速RC振荡器,使能嵌入式快闪记忆体及CPU,以上所有电路的稳定时间总和必须在数个微秒内完成,才能符合快速唤醒的需求。

  另外一个容易被忽略的设计是周边电路启动电流,因为相当多的可携式装置采用CR2032小型锂电池,瞬间推动力仅有数毫安培,尤其使用一段时间瞬间推动力会更低,当MCU被唤醒时,若周边电路启动电流总和太大时,将会导致CR2032输出电压骤降,致使MCU重置(Reset)或工作不正常。为了避免此问题,除了降低周边电路的启动电流,另一种方法是分时分段启动周边电路,不要集中开启太多耗电的电路。

  平均功耗计算范例

  为了让读者更具体了解平均功耗的计算,以新唐科技的低功耗MCU Nano系列及血糖计应用为例,进行使用年限的预估。

  此血糖计范例采用CR2032 230mAh电池,使用方式、运行功耗及静态功耗如表1所示。

突破电路设计桎梏 32位元MCU功耗再降

  使用年限的计算方式请参考表2。量测时间比例、显示时间比例及待机时间比例可由表2求得。例如,量测时间比例为六次×0.25分钟/(60×24)分钟=0.1%。其余时间比例依此类推。量测平均电流为量测时间比例×(MCU运行耗电流+外部量测电路耗电流+待机(含RTC)耗电流+LCD耗电流+CR2032自放电)。显示平均电流为显示时间比例×(待机(含RTC)耗电流+LCD耗电流+CR2032自放电)。待机平均电流为待机时间比例×(待机(含RTC)耗电流+CR2032自放电)。最后计算出使用年限约为2.77年。由于待机时间比例高达99%,故血糖计应用待机电流为延长使用年限最重要的参数。

突破电路设计桎梏 32位元MCU功耗再降

  低功耗MCU开发须兼顾性价比要求

  低功耗MCU设计是一个须多面向考虑的复杂工作,本文仅阐述基本设计理念。开发低功耗MCU产品时,不只要挑战的高困难度,更要由客户应用的角度考虑性价比,功能最强的不一定是最好的,往往性价比最适合的产品,才能在市场上取得成功。由于智慧电网、物联网、远端控制、自动化管理等低功耗、高效能应用需求量持续增加,在可预见的未来,低功耗MCU将逐渐取代8、16位元低功耗MCU,成为市场主流。


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