双栅极SET与MOSFET的混合特性

双栅极SET与MOSFET的混合特性

　　由SET的周期振荡特性和MOSFET的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET通用方波电路[8]，它是构成逻辑门电路的基本单元，如图2 所示。

　　图中双栅SET/MOSFET 的通用方波电路由SET、MOSFET 和恒流源构成。SET 的漏极电压由Vgg 控制，Vgg-Vth 要足够低以确保SET 漏源电压近似恒定工作在库仑振荡条件下，Vcon控制漏电流周期振荡的相位。接入恒流源Io 后，当IdsIo时，输出电压为低电平。同时，这里的恒流源Io 可利用耗尽型NMOSFET 设置加以实现。

　　数字电路中，最基本的单元在于逻辑门设计。在上述电路基础上，由双栅SET/MOSFET基本电路单元可构造出所需的逻辑‘与或非’、‘异或’等基本门电路结构[9]，如图(3)所示。当a=0，b=1 时，SET并联门实现逻辑函数Z =X•Y功能;当a=1，b=0 时，SET并联门实现逻辑函数Z =X•Y功能。当a=0，SET求和门实现逻辑函数Z =X⊕Y功能;当a=1，SET求和门实现逻辑函数Z =X⊕Y功能。

　　图3 SET/MOSFET 构成的逻辑门电路及相应符号