SL11R单片机外部存储器扩展
表2SL11R读周期参数
符 号 | 参 数 | 最小值 | 最大值 |
tCR tRDH tCDH tPRW tAR tAC |
CS下降沿到RD下降沿 RD上升沿到数据保持 CS上升沿到数据保持 RD低电平时间 RD下降沿到地址有效 RAM访问时间 |
1ns 5ns 3ns 28ns 1ns |
31ns 3ns 12ns |
SL11R扩展外部SRAM或EPROM时,可以设定等待周期,最长可设定7个等待周期,每个等待周期时间为31ns(PCLK=32MHz时),这样SL11R就可以扩展价格低廉的低速EPROM和SRAM存储器。
选择SRAM的速度主要应该由CS的低电平脉冲宽度决定:
tAC=tCR+tRDH-tCDH+等待周期时间
笔者经实验得到常见的SRAM需要设定的等待周期数,见表3。从表3的数据可知,一般SRAM的速度可以达到标称值,如PCLK为32MHz,100ns SRAM的等待周期为2,这时tAC=1+28+5-3+2×31=93ns。
表3 常见SRAM等待周期设定
100ns SRAM | 70ns SRAM | 15ns SRAM | 12ns SRAM | |
PCLK=32MHz PCLK=48MHz |
2 3 |
1 2 |
0 0 |
0 0 |
3.2 动态存储器的速度
EDO DRAM的读写速度有两种情况:一种是随机读写;另一种是快速页面读写。SL11R随机读取DRAM的时序见图6,参数见表4。
表4 SL11R读DRAM参数
PCLK | tRC | 1RAS | tCAS | tRAC | tOAC |
32MHz | 150ns | 80ns | 20ns | 80ns | 20ns |
48MHz | 100ns | 53ns | 13ns | 53ns | 13ns |
影响DRAM速度的参数较多,但选择DRAM主要是根据tRAS。一般选择50ns或60ns的DRAM就可以满足要求。
SL11R随机读写DRAM的周期时间tRC在PCLK为32MHz时为150ns;PCLK为48MHz时为100ns。经测试,DMA方式下,DRAM的读写速度可以达到6MHz,满足常用的数据采集要求。
DRAM的快速页面读写是指在DRAM的同一个页面下,即行地址相同时,DRAM保持行地址不变,只寻址列地址,这样可以减少发送行地址的时间。使用快速页面读写必须十分小心,因为在数据采集等场合,写数据时页面发生变化会影响DRAM的读写时间,很可能会丢失数据。
SL11R扩展外部存储器的能力较强,可以方便地扩展I2C接口的串行存储器、各种速度的静态存储器以及大容量的DRAM。配合SL11R的USB接口和快速的处理能力,可以满足各种应用的需要。
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