基于L6562芯片的高功率因数boost电路的基本原理及设计

设Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式计算得：

AP_req(min)=6．64×10-10m4

这样，可选择磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可满足设计要求；而由(5)式计算得Np=218．1匝，取215匝，并验证δBmax=0．304T，气隙lgap=0．41 mm。

根据以上计算参数所搭建的试验模型来进行的结果如图6所示。

由图6可见，输入电流能良好的跟随输入电压，且电流电压相位差接近于零，故可实现高功率因数的控制。另外，MOSFET的电流是一种高频三角波，其包络为输入电压。由于MOSFET可实现软开关，能有效减小开关损耗。根据测试结果，该电路的PF可达0．998以上，THD在5％以下。

5 结束语

本文基于L6562芯片设计了Boost高功率因数电路，并引用AP法则设计其关键元器件——Boost电感。经试验验证，该电路启动电流小，外围元器件少，成本低廉，能同时满足电源系统重量轻，稳定性好，可靠性高等要求。实验证明，AP法则是一种快速准确的设计方法。