eGaN FET与硅功率器件比拼之六：隔离型PoE-PSE转换器

eGaNFET原型和两级转换器之间的效率比较如图8所示。它显示了产品最优化的过程，因为在标称48V输入时达到了峰值效率。拓扑间的差异可以通过比较38V(低压线)输入电压的结果来描述：由于两级转换器采用了升压调节电路，低压线电压实际上是最差的情况(导通损耗增加，开关损耗没有明显的降低)，而对传统的单级方案来说，低压线是最好的情况，因为其开关损耗最小。

两级转换器在低压线处的功耗几乎接近50W(在相同条件下几乎是eGaNFET转换器的两倍)(见图9)，而在75V(高压线)输入损耗在工作电压高出25%时，则比基于eGaNFET的转换器高出15%。

图6：eGaN FET原型半砖PSE转换器与D转换器(商用MOSFET解决方案)半砖PSE转换器的效率比较。

图7：eGaN FET原型与D转换器半砖PSE转换器的功耗比较。

图8：eGaN FET原型与B转换器半砖PSE转换器的效率比较。

图9：eGaN FET原型与B转换器半砖PSE转换器的功耗比较。

本文小结

本章对采用eGaN FET原型设计的全稳压半砖式供电设备转换器与类似的MOSFET转换器进行了比较。与可比的先进商用转换器相比，eGaN FET原型工作在约高出两倍的开关频率时，性能可以得以充分发挥。与最接近的商用转换器相比，其输出功率可以高出100W。

值得注意的是，在砖式转换器设计中，拓扑的选择和器件的优化与选择最佳功率器件同样重要。所有擅长于这些工艺的工程师应该能够进一步改善本文所讨论的eGaN FET原型的性能。

参考文献

[1] Johan Strydom, Andrew Ferencz, “eGaN FET-Silicon Power Shootout Vol. 4: Brick Converters” Power Electronics Technology, July 2011, http://powerelectronics.com/discrete-semis/silicon-power-shootout-brick-converters-0711/

[2] IEEE 802.3atTM-2009 ethernet standard, http://standards.ieee.org/about/get/802/802.3.html

[3] Micahel de Rooij, Johan Strydom, “eGaN FET-Silicon Power Shootout Vol. 5: Paralleling eGaN FETs – part 1” http://powerelectronics.com/power_semiconductors/gan_transistors/paralleling-egain-fets-part1-0911/index.html