Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

中国北京，2024年1月30日——全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo^®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型D2PAK-7L封装中实现业界卓越的9mΩ导通电阻R_DS(on)。此款750VSiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品，导通电阻值最高可达60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数（PTC）加热器模块等电动汽车（EV）类应用。

UJ4SC075009B7S在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低客户的制造成本。全新的750V系列产品是对Qorvo现有的1200V和1700VD2PAK封装车用SiC FET的补充，打造了完整的产品组合，可满足400V和800V电池架构电动汽车的应用需求。

Qorvo电源产品线市场总监Ramanan Natarajan表示：“这一全新SiC FET系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”

这些第四代SiC FET采用Qorvo独特的共源共栅结构电路配置，将SiC JFET与硅基MOSFET合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基MOSFET简单栅极驱动的器件。SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构／JFET方式带来了更低的传导损耗。

UJ4SC075009B7S的主要特性包括：

l阈值电压V_G(th)：4.5V（典型值），允许0至15V驱动电压

l较低的体二极管V_FSD：1.1V

l最高工作温度：175°C

l出色的反向恢复能力：Q_rr＝338nC

l低栅极电荷：Q_G＝75nC

l通过汽车电子委员会AEC-Q101认证