典型功率MOSFET驱动保护电路设计方案

　　图3 无刷直流电机驱动原理图

　　功率场效应管的栅极与源极之间并联了一个电阻和一个齐纳二极管，电阻的作用是降低栅极与源极间的阻抗，齐纳二极管的作用是防止栅极与源极间尖端电压击穿功率管。同时在功率场效应管的漏极与源极之间并联了一个RC电路和齐纳二极管，由于器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，所以必须加上RC缓冲电路和齐纳二极管对其进行保护。

　　在实际应用中栅极的驱动波形如图4所示，此波形是在电机3000RPM时的驱动波形，可以看出此波形完全能够满足要求，同时进行了短路、电机堵转等试验，图3电路也能过很好地保护功率MOSFET管。

　　图4 栅极驱动波形

　　4 结束语

　　功率MOSFET驱动保护电路的设计可直接决定系统对执行机构的驱动品质。文中针对具体的微电机驱动保护系统，有针对性地功率驱动保护电路进行计算分析与设计。实验证明该电路设计简单可靠，驱动与保护效果良好，完全可以满足控制系统对执行机构的驱动要求。