种OTP存储器片上时序信号产生电路的设计

第二，低电平脉冲结束以后ATD_OUT变为高电平，此时NET0为高电平，P0、P1关断．NET4为低电平，N8关断，MOS管P6对MOS电容N7及连线NET5上的寄生电容充电，NET5的电位由GND逐渐上升，当NET5上的电位上升到反相器INV1的开关阈值VM以上(设这个过程所需的时间为T，T的大小决定了WOUT的脉冲宽度)时，反相器INV1的输出发生从高到低的翻转，反相器INV2的输出发生低到高的翻转，NET6的电位瞬间被抬高为VDD，迫使N0、N1导通，从而将NET1、NET2从之前的VDD下拉到GND，迫使P3、P5导通，将NET3、WOUT从之前的GND拉回VDD，使N6导通，将NET5清零，准备下一个低电平脉冲的到来；至此，完成了一个完整的调整低电平脉冲宽度的操作。
输出WOUT的脉冲宽度主要由MOS管P6对连线NET5上的寄生电容及MOS电容充电到反相器INV1的开关阈值VM以上的电位需要的时间所决定。

2 充电时间T
下面推导NET5上的电位从0上升到VM的充电时间T的表达式：
假设反相器INV1的PMOS管和NMOS管的宽长比分别为(W／L)p和(W／L)n，反相器的开关阈值定义为Vin=Vout的点，该点处PMOS、NMOS管均满足VGS=VDS，都处于饱和区，由饱和区电流方程，使PMOS管的电流等于NMOS管的电流，忽略沟道长度调制效应等因素，可以得到

只要知道了PMOS管和NMOS管的宽长比就可以计算出r，进而计算出VM；反过来，如果预先确定了我们需要的VM的值，可以由(1)、(2)两式算出反相器PMOS管和NMOS管的尺寸。例如，我们需要一个对称的反相器INV1，则希望VM的值正好是VDD／2，由(1)式可得r的值约为1。
假设N7管的宽长比为Wn7／Ln7，栅氧单位面积的电容为Cox=εox／tox，N7的栅源、栅漏覆盖电容之和为2CoxxdWn7，其中xd是由工艺决定的参数，为忽略N7的栅电压VGS(即NET5上的电压)对其栅电容的影响，得到N7的栅电容Cg7为

假设反相器INV1的栅电容为CgINV1，CgINV1的值可以由上面的方法带入反相器的尺寸计算得到。
假设N6管的漏极结电容为CjN6，CjN6的值可以由N6管版图实现时的漏结面积与工艺的单位面积结电容参数计算得到。
连线NET5上的总的寄生电容Ctotal为

假设P6的宽长比为Wp6／Lp6，阈值电压为VT，NET5上的电位由于P6的充电从0开始逐渐往上抬升。
当NET5的电位VNET5满足VNET5≤|VT|时，P6工作在饱和区，充电电流Ichg1即是P6的饱和区电流

当NET5的电位VNET5满足|VT|VNET5≤VM时，P6工作在线性区，充电电流Ichg2即是P6的线性区电流

通过调节N7、P6的尺寸可以分别调整电容或者充电电流的大小，达到调整时间T的目的，而时间T的大小直接表现在电路的输出WOUT的脉冲宽度上；即通过调整N7、P6可以达到控制输出WOUT的脉冲宽度的作用。不管需要什么样脉宽的WOUT，都能通过控制N7、P6来实现。