用于辅助电路分析的示波器数学功能

如果你的示波器数学功能中包含了积分，则可以做进一步的波形计算。积分运算可以显示出在一个事件中MOSFET耗散掉的总能量。图4对MOSFET功率信息使用了积分函数。由于在上电的约2ms内，功率波形有一个三角形，因此可以预测出约24W/2×2ms=24mJ的能量，它会在MOSFET上转化为热量。在上电事件结束时，数学通道的功率积分达到了几乎精确的24mJ能量。

这种方法可以用于影响MOSFET的其它瞬态情况，如断电、短路或过载事件。在检查MOSFET的安全工作区间和热特性时，用这个详细的功率-能量信息，可以对脉冲周期和“单脉冲功率”做出精确的计算。

测量负载电容

另外，还可以使用示波器的积分功能，测量热插拔负载电容，前提是上电期间有小的阻性负载电流。电容是每伏特存储的电荷量，而电荷不过是电流对时间的积分。因此，通过对热插拔浪涌电流的积分，并除以输出电压，示波器的数学功能就可以精确地测量出总负载电容。

图5中的热插拔控制器连接到三只陶瓷输出电容，每个标称值为10μF。电容的迹线(红色)开始没有意义，因为在输出电压上升前有除零问题。但当输出电压超过0V时，数学功能快速地收敛到一个大约27μF的测定电容。标尺为10μF/刻度。

图4，对功耗的积分可得到MOSFET的总能耗

图6重复了图5的实验，但在输出端增加了标称值为330μF的铝电解电容。当起动事件结束时，数学迹线显示测得的输出电容约为350μF—这几乎与预期的完全一样，标尺为100μF/刻度。

图5，对输出电容的测量表明COUT为30μF。

图6，增加一只330μF电容，测得的输出电容为350μF。

记住，一个阻性负载会拉入并不存储在电容中的电流，从而降低这些电容测量的精度。但对简短的测量，结果还是有用的。