中芯国际推38纳米NAND闪存工艺制程

中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。

　　NAND闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38纳米NAND闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IoT)、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。客户也可利用此技术带动串行外设接口(SPI)NAND市场的发展以及不断增长的IoT相关产品的应用。此次中芯国际成功推出38纳米NAND闪存技术，能够帮助客户满足中国及全球市场对此技术的需求。

　　中芯国际技术研发执行副总裁李序武博士表示，“此前中芯国际已开发出一系列从130纳米到65纳米的特殊NOR闪存平台。经过研发团队专注及系统的努力，我们成功推出了38纳米NAND闪存，在技术多元化方面取得重要进展，也为后续开发更先进的2x/1x纳米及3DNAND闪存奠定了稳固的基础。我们将继续努力推进NAND闪存技术的开发，以满足无晶圆厂客户对高质量标准的要求。”

　　中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“这一重要里程碑对中芯国际以及特殊存储器客户及合作伙伴，都具有重大的战略性意义。对客户来说，中芯国际显示了其在非易失性存储技术开发方面的决心和能力。此外，还证明中芯国际有足够的实力在精心选择的细分市场确立领导地位。”

　　关于中芯国际

　　中芯国际集成电路制造有限公司，是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm超大规模晶圆厂;在北京建有一座300mm超大规模晶圆厂，一座控股的300mm先进制程晶圆厂正在开发中;在天津建有一座200mm晶圆厂;在深圳正开发一个200mm晶圆厂项目。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区设立营销办事处、提供客户服务，同时在香港设立了代表处。