东芝四日市新厂动土2015年起量产3D NAND

　　核心提示：东芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工厂，主持采用更高精度制程NANDFlash厂、第五工厂第二期工程完工典礼，与3DNANDFlash厂、第二工厂新工程动土典礼，象征在NANDFlash市场的积极作为。

东芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工厂，主持采用更高精度制程NAND Flash厂、第五工厂第二期工程完工典礼，与3D NAND Flash厂、第二工厂新工程动土典礼，象征在NAND Flash市场的积极作为。

　　由于智能型手机与平板电脑需求使然，NAND Flash需求高涨，为东芝NAND事业带来大量营收，2013年的全球市占第二，仅次于三星电子(Samsung Electronics);依美国市调机构HIS Global调查显示，全球NAND Flash 2014年4~6月市占，东芝甚至超过三星，位居首位。

　　对于NAND Flash的未来策略，东芝社长田中久雄表示，目标是营业收益超过2,000亿日圆(约18.7亿美元)。至于达成目标的方式，就是推出更新更好的 NAND Flash，先是将目前采用19纳米(nm)制程的生产线，升级为更精细的15纳米制程，然后再研发3D制程，进一步提升线路密度。

　　四日市工厂的第五工厂第二期工程，就是15纳米制程生产线;而第二工厂的新工程，则是3D制程的产品生产线。东芝预定将再投资至少2,000亿日圆，从2015年夏季起，进行3D制程NAND Flash的生产，2016年起全面生产。

　　但是，三星的3D制程NAND Flash却是从2013年起生产，在大陆西安的第二条生产线，则从2014年起量产，东芝在生产技术上，仍落后于三星，2014年4~6月的市占率领先，只是因为与存储器大厂新帝(Sandisik)的合作成功，技术上则居于劣势。

　　虽然市场分析师表示，三星的3D制程NAND Flash生产成本较高，产品良率也低，因此短时间内市场影响力有限，但东芝在相关的技术研发上落后于三星也是事实，随NAND Flash 3D制程的精进，快闪存储器容量将很快可以增为现行产品的8倍，传统制程产品届时将无可与抗。

　　田中久雄表示，快闪存储器的2020年全球市场规模，将为2013年的10倍。因此东芝积极投资提升技术，以追赶三星，希望2016年来得及与三星重新站在相同起跑线上。