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Marvell投资效益爆发 忆正SSD和eMCP突围

作者: 时间:2015-05-29 来源:Digitimes 收藏

  NAND Flash解决方案供应商忆正科技,从军工规存储器模组转进消费性市场,获得投资后专注研发2年,终于在2015年开始进入收割期,新产品智能型手机以及平板电脑专用的eMCP产品M1880L/M1870L即将问世。同时,支援东芝(Toshiba)的15纳米制程的PCIE Gen3 x2介面M.2产品NF8-920也即将推出。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/274917.htm

  忆正一直是eMMC控制芯片供应商,看好未来智能型手机以及平板电脑内建的储存规格将从eMMC转到eMCP上,因此2015年将eMCP模组视为重点产品,更积极巩固eMCP当中的DRAM芯片货源,除了美光外也积极多方合作,与所有的存储器大厂都建立合作关系。

  忆正总经理郭聪铃指出,看好移动装置对于体积小且低耗电的eMCP需求热络,推出的eMCP产品M1880L和M1870L采用先进封装技术和自行开发的韧体架构,整合最新制程的NAND Flash快闪存储器、移动式存储器LPDDR,再搭配NAND Flash控制器芯片,支援JEDEC的eMMC5.1介面。

  忆正旗下的eMCP产品预计在2015年第3季放量,分别打入大陆和日本客户。另外,忆正主打的M1880L内建LPDDR3存储器,可支援8GB+8Gb、16GB+8Gb以及32GB+8Gb等容量,读写速度可达270/65 MB/s,适合最新一代的LTE通讯平台对储存存储器的高速读写效能需求。

  另一款M1870L是内建LPDDR2存储器,采用162 ball BGA封装,针对中阶智能型手机市场设计,容量包括4GB+4Gb、4GB+8Gb、8GB+8Gb和16GB+8Gb。

  2015年另一个发展亮点是支援最新制程的东芝15纳米的PCIE介面产品,为Gen3 x2介面M.2,传输速度可突破传统SATA III的效能瓶颈,读写速度可达1,000MB/s和/800MB/s,最大容量可达1TB。

是SSD控制芯片供应商,强项在硬体,但韧体技术需要有其他合作伙伴协助,才能一起把SSD饼做大,因此在2年前投资忆正科技。看好忆正在韧体技术上的实力,可以强化的NAND Flash芯片硬体强项,这样的合作效应在2014年下半才陆续浮现,尤其2015年步入收割期。

  忆正指出,采用Marvell的88SS1074控制芯片读写速度可达560MB/s和550MB/s,特色是耗电量更低,且内建支援第三代NANDEdge纠错与低密度奇偶校验 (LDPC)技术,可支援最新制程的TLC型NAND Flash芯片,最大容量可达1TB,可降低SSD产品生产成本。

  另外,忆正也针对价格敏感的的Chromebook等入门级市场量身订做SSD解决方案,采用Marvell旗下88NV1120控制芯片的U1000系列SSD,也分别支援M.2模组规格,以及采用BGA封装方式的系统单芯片两种产品,可相容SATA III和PCIE介面,读写速度可达560MB/s和350MB/s。

  SSD已经慢慢走向部分取代传统硬碟的应用,但最敏感的问题是资讯安全,忆正也看好透过韧体技术,推出支援TCG Opal 2.0认证及微软(Microsoft)eDrive加密功能的SATA III 6Gb/s SSD,提供资讯安全要求较高的企业级相关应用。

存储器相关文章:存储器原理




关键词:MarvellSSD

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