拼年底量产3D NAND、传SK海力士大买设备

　　记忆体大厂整军经武，准备展开新一波大战!据传三星电子和SK 海力士(SK Hynix )将大买设备，积极投资3D NAND Flash;另外DRAM也将转进新制程，拉高战力。

　　韩媒etnews 6日报导，记忆体大厂争相量产3D NAND Flash，新制程和传统NAND Flash相比，差别在于从平面改为立体，能层层堆叠，提高效能。据了解，由2D转进3D NAND Flash，显影制程不变，但是金属化和刻蚀步骤将分别增加50~60%、30~40%，需要采购不少新设备。据了解，三星最早量产3D NAND Flash，目前正在扩充西安3D NAND Flash厂产线，盼将堆叠层数从32层提高到48层。与此同时，SK海力士也增加投资，预定今年下半量产3D NAND Flash，将打造36层的3D NAND Flash产线。

DRAM方面，今年下半，三星拟把20 奈米DRAM制程比重提高到20%，SK海力士则要将25奈米DRAM制程比重提高至60%。为了转进新制程，两家公司都将大肆采购。

　　南韩媒体中央日报日文版甫于6月19日报导，因固态硬碟(SSD)需求提振3D架构的NAND型快闪记忆体 (Flash Memory)需求呈现急速增长，故三星计画把生产 3D NAND的中国西安半导体工厂产量较现行扩增50%。报导指出，据熟知 三星事务的关系人士透露，目前三星西安工厂晶圆月产量为4-5万片，而三星计画于今(2015)年底前将其产量提高5成(增加2万片)至6-7万片。

　　barron`s.com 6月23日报导，虽然美光与英特尔(Intel Corp.)已在3月发表最新3D NAND技术，还宣称厂房已开始投产、预计今年底就会产能全开，但瑞士信贷分析师Keon Han与团队发表研究报告指出，三星在3D NAND领域拥有独特优势，因为该公司可将3D NAND直接卖回给自己，而在客户需求前景较为稳定下，三星能够直接打造全新的3D NAND厂房，不需要像竞争对手那样把旧有厂房升级来节省成本。瑞信认为，三星未来2年在3D NAND市场都不会面临太多竞争。

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