三星半导体资本支出超英特尔台积电

三星半导体资本支出不畏市况低迷，维持原订15兆韩元(约131亿美元、约新台币4，192亿元)高档，年增近14%。相较英特尔、台积电数次调降今年资本支出，三星半导体资本支出金额不仅在三强中居冠，更是三强唯一未砍资本支出并较去年成长的业者，威胁台积电、华亚科等台厂。

三星半导体业务分为存储器制造与晶圆代工两大区块，以存储器制造为最大宗。三星今年资本支出维持高档，市场预期对存储器业冲击最大;晶圆代工方面，三星目前仍不及台积电，但已在市场与台积电抢客户。

　　三星居全球DRAM龙头，市占逾45%，具有“喊水会结冻”的能耐。先前曾传出三星因整体营运陷入低潮，加上市场供过于求，有意暂缓DRAM扩产，让同业一度大大松一口气。

　　法人指出，三星未下修今年资本支出，对存储器业冲击最大，主因这意味三星DRAM扩产进度并未停歇。虽然今年已接近尾声，但三星维持半导体高资本支出，将成为明年市场供需一大变数。

　　尤其三星今年的投资，将成为后续新产能与供应量，市场供过于求压力更大，华亚科、南亚科等业者必须谨慎因应。DRAM业普遍对短期展望保守，华亚科认为，供过于求状况仍在，尽管市场存货持续消化中，本季价格仍面临下跌压力。

　　据了解，三星维持高资本支出，主要因应今年5月在南韩平泽动土的新厂资金需求，该厂区斥资154亿美元，是三星未来存储器与晶圆代工新产能最重要的来源。