NS推出首款保证在不同温度下仍能保证准确测量的射频功率检波器
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3V 至 2V 的电压,这个输出电压可以进一步调低,以配合模拟/数字转换器的输入电压范围。
LMV221 芯片的射频功率检波范围介于 -45dBm 与 -5dBm 之间,令这款芯片可直接与 30dB 的定向耦合器搭配一起使用。此外,这款芯片在停止操作之后会一直停留在低功耗的停机模式,直至对芯片引脚发出通电指示为止,以便将功耗降至最低。
美国国家半导体早于 2005 年 7 月便已推出一系列射频对数放大及均方检波器,这款新的 LMV221 芯片是这系列产品的最新型号。LMV225、LMV226 及 LMV228 射频功率检波器各有不同的频带范围,合共可覆盖 450MHz 至 2GHz 的频带范围。美国国家半导体的 LMV232 射频检波器则设有 2 个射频输入,可以支持多个 20dB 的定向耦合器。
LMV22x 系列射频功率检波器可为美国国家半导体的 LM320x 直流/直流转换器如 LM3208 提供射频功率数据。LM3208 转换器可以灵活控制 WCDMA 及 CDMA 射频功率放大器的供电电压,以便提高系统的整体效率。将直流/直流转换器与功率检波器搭配一起的好处是可为某一特定的射频发射功率实时提供所需的输出电压,这样可以确保在整个发射功率范围内 -- 尤其是使用较低的发射功率时 --系统效率有大幅度的提升。对于便携式射频系统来说,这个设计可以进一步延长系统的电池寿命。
美国国家半导体的放大器系列
美国国家半导体一直专注于研发高性能的放大器及比较器,目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器,其中包含基本的芯片以及专用标准产品 (ASSP),以满足市场上对高精度、高速、低电压及低功率放大器的需求。公司多年来一直致力于开发创新的放大器,这方面的技术更一直领先同业,加上也拥有先进的 VIP10 双极及 VIP50 BiCMOS 工艺技术,这几方面的优势令美国国家半导体将可继续在放大器市场上保持其领导地位。此外,美国国家半导体率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 这两种崭新的封装技术,为封装技术的市场领导者。如欲进一步查询有关美国国家半导体放大器产品的资料,可浏览 amplifiers.national.com/CHS 网页。
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