富士电机--产品简介

随着功率器件对小尺寸、大容量和低噪音的要求， IGBT已成为电源变换器的新一代核心功率器件。富士电机电子技术公司始终专注于 IGBT模块的开发，不断支持新技术，目标是开发出简单易用且最终可实现低损耗和低 EMI噪音的 IGBT模块。

富士电机推出的第五代 IGBT模块通过完善的设计降低了损耗，并实现了较高的环保效益。更重要的是，产品的功率周期寿命获得大大提升，从而成功赢得客户的信赖。该系列产品备有多种容量规格供选择，包括 600V/30A～600A、1200V/25A～3600A和 1700V/100A～3600A，适用于各种用途的电源变换装置，如通用变频器、伺服机、不间断电源装置 (UPS)、风力发电装置和太阳能发电装置等。由于采用了沟槽结构和 FS(Field Stop)结构，芯片的损耗较之前的产品降低了 20%。而通过采用高强度无铅焊料(芯片和 DBC板之间)，功率周期寿命可提升10倍(与之前的产品比较)。

富士电机的 U2系列 IPM(1200V)采用一体触发式驱动 IC，省去了许多其它的零部件。这种智能模块采用的是第五代 IGBT芯片，可以有效控制成本，并获得最高的效率。它可以降低 16～20%的损耗，这是因为采用了FS结构的 IGBT芯片。同时具有丰富的保护功能，如过电流保护、短路电流保护、结温过热保护、壳温过热保护及驱动电源不足电压保护。通过触发式驱动电路来降低EMI噪音(和 R-IPM类似)。这款产品适用于通用变频器和伺服机等。

最新推出的第 6代 IGBT模块“ V系列”十分简单易用，可以称得上是完全平衡的 IGBT模块。它具有低损耗、环保、高可靠性和低噪音的特性，而且采用散热良好的封装，额定电流可达到相同尺寸封装的 2倍。与第 5代 IGBT比较，由于 IGBT芯片具有改良的沟槽结构和FS结构，该产品降低了 10%的损耗。此外，新型的门极结构可减少 -20dB EMI噪音，因为这种结构能够改善开关速度控制性能。

在开发 MOSFET产品方面，富士电机也取得了丰硕的成果。最新的MOSFET系列Super FAP-E3采用平面型(Planar)结构。 Super FAP-E3系列具有业界最高级别的低导通阻抗特性，改善了原有产品在开关损耗与电磁噪音之间的矛盾，可以同时实现较低的EMI噪音、易用性以及环保特性。该系列产品采用第二代 QPJ结构，与竞争厂商最新推出的平面型功率 MOSFET相比，它的导通阻抗降低了 12～17%。相比其它新型器件是一种低损耗、低噪音、易于使用和易于设计的环保型功率产品。

M-综合功率器件( M-Power2)是电源 IC的首选，这是一种专用的电源 IC，采用了富士电机的专有设计，适用于复合发振型电流共振回路方式的电路。 M-Power2可提供高效率、低噪音的电源，并且可工作在待机模式下(无需辅助电源)，从而可降低系统成本。 M-Power2的高效率使得减小开关电源的尺寸成为可能。在处理EMI噪音方面， MOSFET的开关过程使用了零电压+零电流开通，以及零电压关断，这种软开关对改善EMI噪音有很大的帮助；此外，次级二极管在逆向恢复时不出现浪涌电压。其它特性还包括多项保护功能、简化设计等。该产品非常适合用于液晶显示电视机的开关电源，并可广泛用于许多应用中。

富士电机的二极管产品的发展也一直沿着富士“低损耗低辐射更小型更环保”的方向，其高压 SBD具有低正向压降和软恢复特性，有利于降低EMI干扰和简化线路，封装更小型化，有利于减小系统体积，广泛应用于液晶电视，电脑等产品中；专用于 PFC的整流管，有针对性的设计提供高性价比的产品， 包括用于较大功率CCM具有超快恢复特性的 LLD1系列，和用于中小功率 DCM具有更低正向压降的 LLD2系列，最新的 LLD3系列进一步平衡了正向压降和快恢复特性，使得 EMI干扰更小，功率损耗更低，将更广泛的应用于需要 PFC的民用电器中。

富士电机的电源IC产品系列丰富，各具特点，可满足客户的不同应用的需求。

例如， AC-DC Converter IC FA5528，低负载时通过降低PWM频率,实现无负载时较小的输出容量且输入功率为 0.2W。Vcc额定为 28V，允许辅助线圈上不使用串联调节器。 MOSFET的漏电流极限为 0.5V，比一般IC效率提高 0.5%。FA5526/27/28在满载时的频率可达到 130k/100k/60kHZ，具有过电流保护功能(自动恢复)。

FA5540，内置500V启动元件，通过低频操作，实现无负载时输入功率为 0.1W，VCC不低于欠压锁定（ UVLO），启动时间只需0.2秒。通过低负载时的间歇性开关，实现低待机功率。最大频率可达到 65kHZ~130kHZ，具有过载保护功能 (自动重启， Timer-Latched)。