Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记录

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。

SiR476DP 在 4.5V栅极驱动时最大导通电阻为 2.1mΩ，在 10V栅极驱动时最大导通电阻为 1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 89.25nC。

　　与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别低 32% 与 15%，FOM 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。

　　Siliconix SiR476DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中作为低端 MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。

Vishay还推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。这些器件在 4.5V 时提供了 4.2mΩ 与 9mΩ 的导通电阻，在 10V 时为 3.2mΩ 及 7mΩ，典型栅极电荷为 20nC 及 8.4nC。所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装类型。这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。

　　目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。
【可从以下网址下载高分辩率图像 (<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=433】

　　VISHAY SILICONIX简介

VishaySiliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

　　创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。

　　Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。